Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА




Студенты

 

Группа

 

Преподаватель

 

Дата

 

 

Челябинск

 

Цель работы: изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода, определение контактной разности потенциала.

Оборудование: полупроводниковый диод, электронный блок с миллиамперметром и вольтметром.

РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ

 

Электронно-дырочный переход, или p-n переход, – это область контакта……..

Внесение ничтожных долей примеси в сверхчистый кристалл полупроводника изменяет тип проводимости. Полупроводник n -типа можно получить, если в кристалл 4-валентного, например германия, добавить небольшое количество …………………………. Один валентный электрон атома примеси окажется слабо участвующим в химической связи. Его сравнительно легко оторвать от атома за счёт энергии теплового движения. Поэтому в полупроводниках n -типа основными носителями заряда являются…………, а неосновными………

 

Полупроводник р -типа можно получить, если в кристалл 4-валентного сверхчистого полупроводника добавить небольшое количество ……………

………………………Одна химическая связь атома примеси оказывается незаполненной, то есть ……….. Основными носителями электрического заряда являются …………., а неосновными ………

При образовании контакта полупроводников с разным типом проводимости, вследствие теплового движения происходит диффузия электронов и дырок навстречу друг другу. В результате рекомбинации образовавшиеся в узлах кристаллической решетки ионы разного знака создают двойной электрический слой с контактной разностью потенциалов, Uк. Его смогут преодолеть только те заряды, энергия теплового движения которых превышает барьер. Их концентрация, по уравнению Больцмана, зависит от температуры:

Они создают ток диффузии:

Зато контактное поле не препятствует, а, наоборот, увлекает неосновные носители зарядов. Их движение создаёт ток дрейфа, противоположный току диффузии.

Электрическое внешнее поле при прямом включении ослабляет контактное поле и ток диффузии основных носителей возрастает. А ток дрейфа неосновных носителей остаётся постоянным. При обратном включении внешнего поля ток диффузии падает. Остаётся постоянный по величине ток дрейфа незначительный по величине. Результирующая сила тока определяется разностью тока диффузии и тока дрейфа:

 

 

Свойство односторонней проводимости используется в диодах.

ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ

 

Прямое Обратное

Напряжение U, В                    
Сила тока J, мА                    
ln J                
                     
ВАХ

       
                               
                               
                               
                               
                               
                               
                               
                               
                               
                               
                               
                             

       
   
-2-1 0 1 2 3 4 5 U, В
 
 
J, мА

 

 


ln J
График зависимости логарифма силы тока от напряжения

                                   
                                     
                                     
                                     
                                     
                                     
                                     
                                     
                                     
                                     
1 2 3 4 U, В

                                 

 

 

Расчет углового коэффициента:

=

Выводы.

 

ОТВЕТЫ НА КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

 


 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных