Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТТЛ




ТТЛ - обозначает получившую широкое распространение технологию изготовления интегральных схем (ИС) – транзисторно-транзисторную логику. Отличительной особенностью данной технологии является использование на входах ИС многоэмиттерных транзисторов.

На рис.6 показан базовый логический элемент (ЛЭ), выполненный по технологии ТТЛ и реализующий логическое преобразование И-НЕ. Базовым является тот ЛЭ, физические параметры которого наиболее полно характеризуют физические свойства большинства ИС определенной серии ЛЭ. Например, базовый элемент рис.6 характеризует свойства ИС серии SN74 фирмы Texas Instruments Inc. (TI) и отечественной 155 серии, в которых он применен. ИС серии SN74 (155) предназначены для применения в среднечастотных цифровых узлах (до 35 МГц).

Существуют модификации базового элемента ТТЛ, определяющие свойства соответствующих ИС и другую область их применения. Так, к примеру, ИС серии SN74L (134) предназначены для применения в низкочастотных узлах (до 3 МГц), а ИС серии SN74H (131) – в высокочастотных (до 50 МГц). Совершенствование ТТЛ-технологий изготовления ИС привело к созданию базового элемента ТТЛ с использованием диодов Шоттки, предотвращающих режим глубокого насыщения транзисторов – ТТЛШ. На рис.7,а показано включение диода

Шоттки в простейшем ключе. В ключе рис.7,б использован транзистор Шоттки. Прямое пороговое напряжение диодов Шоттки равно (0,3...0,4) В, поэтому в схемах рис.7 напряжение на коллекторном переходе транзистора никогда не достигает значений, при которых он смещен в прямом направлении. Поэтому транзистор с диодом Шоттки не попадает в режим насыщения. Базовые элементы ТТЛШ используются, к примеру, в интегральных схемах серии SN74S (531).

Анализ схемы рис.6 показывает, что многоэмиттерный транзистор Т1 выполняет логическую операцию И, а транзистор Т2 - операцию НЕ. Выходной каскад на транзисторах Т3 и Т4 позволяет получить большие значения втекающего и вытекающего токов в нагрузке, подключаемой к выходу Y ЛЭ. Для получения максимальных значений токов в нагрузке один из выходных транзисторов должен быть обязательно закрыт. Диод D1 в эмиттерной цепи транзистора Т3 обеспечивает его надежное запирание при открытом транзисторе Т4. При запертом состоянии транзистора Т4 транзистор Т3 по отношению к нагрузке работает как эмиттерный повторитель. Резистор R1 предотвращает выход из строя транзистора T3 при коротком замыкании выхода на корпус и снижает уровень импульсных помех при переключении ЛЭ.

Выход ЛЭ с показанным на рис.6 соединением выходных транзисторов Т3 и Т4 называется стандартным выходом.

Диоды, включенные между входными выводами и общим выводом, обеспечивают защиту ЛЭ при попадании на его входы отрицательного напряжения.

Статические режимы в логических элементах ТТЛ характеризуются стандартными физическими параметрами, к которым относятся уровни входных и выходных напряжений и значения входных и выходных токов, приведённые в таблице.

 

  Физический параметр     Обозначение   Значение
Входное напряжение логической единицы UIn1 ≥ 2,0 В
Входное напряжение логического нуля UIn0 ≤ 0,8 В
Выходное напряжение логической единицы UOut1 ≥ 2,4 В
Выходное напряжение логического нуля UOut0 ≤ 0,4 В
Входной ток при входном напряжении логической единицы (втекающий ток) IIn1 ≤ 40 мкА
Входной ток при входном напряжении логической нуля (вытекающий ток) IIn0 ≤ 1,6 мА
Выходной ток при выходном напряжении логической единицы (вытекающий ток) IOut1 ≥ 0,4 мА
Выходной ток при выходном напряжении логического нуля (втекающий ток) IOut0 ≥ 16 мА
     
     

 

Отношения n0 = IOut0 / IIn0 и n1 = IOut1 / IIn1 характеризуют нагрузочную способность ЛЭ для низких и высоких уровнях сигналов. Стандартный параметр определяет максимальное число входов базовых ЛЭ, которое допустимо подключать к выходу аналогичного ЛЭ. Для базового ЛЭ серии SN74 нагрузочная способность

Переход ЛЭ в усилительный режим (режим переключения) характеризуется значением напряжения переключения (порога переключения). Для базового ЛЭ серии SN74 стандартное значение напряжения порога переключения: .

Анализ схемы рис.6 показывает, что типовые значения выходного напряжения равны и , поэтому типовое значение помехоустойчивости для базового ЛЭ серии SN74 определяется значениями величин

Помехи с уровнем напряжения менее или не могут привести к изменению состояния ЛЭ.

Стандартные динамические параметры ЛЭ характеризуются временами задержки при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий, - при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий или средним временем задержки сигналов в ЛЭ Задержки и показаны на рис.8 ( - эквивалентный входной сигнал ЛЭ, учитывающий взаимодействие физических входных сигналов и на рис.6; - выходной сигнал ЛЭ).

 

 

Для стандартной серии SN74 . Указанное значение позволяет использовать триггеры данной серии при частоте переключения . Для других серий ИС, построенных на модифицированных базовых схемах ТТЛ, эти параметры равны:

серия SN74L, ; серия SN74H, ; серия SN74S, .

Упомянутые выше серии ИС ТТЛ, в названиях которых используется префикс SN, разработаны фирмой TI. Перечисленные ИС помимо фирмы-разработчика выпускаются многими другими фирмами -изготовителями. Другие фирмы-изготовители используют иные префиксы для идентичных ИС, поэтому в справочниках по ИС и учебной литературе префикс часто опускается.

В частности, названия цифровых ИС, включенных в библиотеку программы Micro-Cap (Component > Digital Library), не содержат префикса, обозначающего фирму изготовителя.

5. ПРОГРАММА РАБОТЫ

 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных