Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Экзаменационный билет № 3. Электротехника и электроника




Электротехника и электроника

Экзаменационный билет № 1

1.Токи в полупроводниках (диффузионный и дрейфовый). Элект­ронно - дырочный переход: структура, контактная разность потенциа­лов jк. Прямое напряжение и прямой ток (режим инжекции). Обратное напряжение и обратный ток (режим экстракции зарядов). Вольт-ам­перная характеристика идеального p-n -перехода.

2. Полосовойфильтр 1-го порядка на основе ОУ. Схема, передаточная функция K (p), логарифмические АЧХ и ФЧХ, параметры.

3. Задача.

Экзаменационный билет № 2

1. Характеристики реального p-n- перехода. Особенности прямой и обратной ветвей В.А.Х., отличие от идеального p-n- перехода. Параметры модели полупроводникового диода: r б, R обр.диф. Электрический пробой перехода. Параметры выпрямительных диодов. Схемы выпрямителя без и с емкостным фильтром.

2. Схема преобразователя "ток – напряжение" на операционном усилителе, формула преобразования, погрешности.

3. Задача

Экзаменационный билет № 3

1. ДиодыШоттки: структура баръера Шоттки, особенности В.А.Х., применение. Стабилитроны: В.А.Х., режим работы, парамет­ры, применение. Графическое обозначение приборов.

2. Электронныйключ (инвертор) на биполярном транзисторе в схеме с ОЭ. Статические состояния ключа. Условия и признаки режимов от­сечки и насыщения. Степень насыщения N. Схемы замещения закрыто­го и насыщенного транзистора.

3. Задача.






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных