Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Спеціальні електрофізичні методи визначення змісту кисню в напівпровідниках.




При виготовленні детекторів іонізуючих випромінювань на основі p-Ge або p-Si використовується метод створення компенсованої i-области шляхом введення донорної домішки Li, іони якого (L+) володіють аномально високою швидкістю дрейфу в електричному полі. Дрейфуючи через кристал, іони Lі+ вступають в реакцію з оптично активним киснем і нейтралізуються в комплекси LiO. Тому по глибині проникнення Li в кристал, а точніше по рухливості іонів L+ в електричному полі Е можна судити про концентрацію кисню

(3.26)

де - рухливість іонів літію, v - швидкість дрейфу іонів літію в електричному полі Е, d - глибина дрейфу, t - тривалість дрейфу.

Цей метод запропонований Пеллом в 1961 р. Метод непрямий, градуїровочні (калібрувальні) графіки будуються за результатами еталонних вимірювань яким-небудь незалежним методом (наприклад, ІЧ-спектрометрії). Він відрізняється від методу ІК-спектрометрії в позитивну сторону тим, що володіє більш високою чутливістю (до 1×1015 см-3). Проте цей метод застосовуеться до напівпровідників тільки р-типа провідності.

Розвитком методу Пелла є метод, заснований на вивченні кінетики випадання Li у вигляді комплексів LiO з твердого розчину. Метод полягає в тому, що шайба p-Ge або p-Si товщиною ~ 3 мм покривається Li з обох боків шляхом напилення у вакуумі. Потім витримкою при 400°Із створюється пересичений твердий розчин Li в гратах Ge або Si. Після цього зразки різко охолоджують і виміряють ПЕО чотиризондовим методом при кімнатній температурі через рівні інтервали часу протягом декількох діб (до 10). Будуючи залежність концентрації носіїв заряду від часу витримки, одержують кінетичні криві з точками перегину, що відповідають моменту випадання комплексів LiO. В зразках з підвищеним вмістом кисню процес випадання комплексів завершується за 1-3 доби, в безкисневих зразках він спостерігається після 5-7 діб. При відповідному калібруванні метод дозволяє проводити непрямі вимірювання концентрації кисню.

П.І.Баранській показав, що в деяких випадках досить точно концентрацію кисню можна визначити з чисто електрофізичних вимірювань. Оскільки Ge і Si є багатодолинними анізотропними кристалами, присутність кисню сприяє їх гомогенізації і зменшує величину коефіцієнта анізотропії Но (див. формулу 3.24). Запропоновано одночасно виміряти напругу парного ефекту Холу (U2x) і напругу магнітоопору (U1m) і обчислювати їх відношення

= (3. 27)

де b-ширина зразка, l-відстань між зондами.

Концентрація кисню визначається з різниці між теоретичними і експериментальними значеннями :

= теор - эксп = f(N кисню) (3. 28)

 


 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных