Запоминающий элемент на полевых транзисторах.

Известно несколько структур полевых транзисторов, отличающихся полярностью питающих и управляющих напряжений. Поэтому при построении ячейки памяти необходимо использовать структуры, которые наилучшим образом подходят к используемым сериям логических элементов. Для серий логических элементов, имеющих положительное напряжение питания, лучше всего использовать МОП транзисторы с индуцированным каналом типа “n”, так как у этих транзисторов напряжение питания и напряжение отсечки -- положительны. Схемотехнической основой построения ячейки является статический триггер, у которого в стоковых цепях транзисторов использованы n - канальные полевые транзисторы в режиме источников тока. Схема ячейки приведена на рис. 78.

Транзисторы VT1, VT2 -- n - канальные с изоляцией канала от затвора обратносмещённым p-n переходом в режиме источника тока используются в качестве стоковых нагрузок транзисторов VT3,VT4, которые образуют статический триггер. Транзисторы VT5,VT6, так называемые боковые транзисторы, предназначены для управления записью и считыванием информации в статическом триггере.

Рис. 78. NMOP элемент памяти.

NMOP элемент памяти имеет преимущества состоящие в том, что в схеме используются только транзисторы (резисторов нет) а это существенно упрощает технологию и удешевляет микросхему памяти.

Рассмотренные схемы ячеек памяти используются в микросхемах статической памяти и на кристалле кремния они занимают много места, что при ограниченных размерах кристалла приводит к ограничению объема микросхем статической памяти.

С целью увеличения объема запоминаемой информации в одной микросхеме необходимо искать другие схемотехнические решения для ячеек памяти.

Лекция 26.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: