ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Полупроводниковые приборы
§ 1.1. Электропроводность полупроводников, образование и свойства р-n-перехода
§ 1.2. Классификация полупроводниковых приборов
§ 1.3. Полупроводниковые резисторы
§ 1.4. Полупроводниковые диоды
§ 1.5. Биполярные транзисторы
§ 1.6. Полевые транзисторы
§ 1.7. Тиристоры
§1.8. Общетехнические и экономические характеристики и система обозначений полупроводниковых приборов
§ 1.1. Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n- перехода
Количество известных в настоящее время полупроводниковых материалов довольно велико. Для изготовления полупроводниковых приборов применяются простые полупроводниковые вещества – германий, кремний, селен – и сложные полупроводниковые материалы – арсенид галлия, фосфид галлия и др. Значение удельного электрического сопротивления в чистых полупроводниковых материалах лежат в диапазоне от 0.65 Ом·м (германий) до 108 Ом·м (селен).Некоторые данные о свойствах чистых полупроводниковых материалов приведены в Приложениях (см. табл.ПI).
В чистых полупроводниках концентрация носителя заряда – свободных электронов и дырок – составляет лишь 1016-1018 на 1 см3 вещества. Для снижения удельного сопротивления полупроводника и придания ему определенного типа электропроводности – электронной при преобладании свободных электронов или дырочной при преобладании дырок – в чистые полупроводники вносят определенные примеси.Такой процесс называют легированием, а соответствующие полупроводниковые материалы — легированными.
В качестве легирующих примесей применяют элементы III и V групп Периодической системы элементов Д. И. Менделеева. Легирующие элементы III группы создают дырочную электропроводность полупроводниковых материалов и называются акцепторными примесями, элементы V группы — электронную электропроводность и называются донорными примесями.
Удельное электрическое сопротивление легированного полупроводника существенно зависит от концентрации примесей. При концентрации примесей 1020—1021 на 1 см3 вещества оно может быть снижено до 5∙10-6 Ом∙м для германия и 5∙10-5 Ом∙м для кремния. Однако даже в сильнолегированных полупроводниках один атом примеси приходится на 103—104 атомов полупроводника. Некоторые свойства легированных полупроводниковых материалов указаны в табл. ПII Приложений.
Слаболегированные полупроводники используют для изготовления маломощных полупроводниковых диодов и транзисторов. В мощных и импульсных диодах, транзисторах и тиристорах применяют сильнолегированные полупроводники с малыми удельными сопротивлениями.
Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, который для краткости называют р-n-переходом.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: