ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Технология изготовления интегральных микросхемВ технологии производства современных интегральных микросхем многократно используют ряд детально разработанных операций. Окисление кремниевой пластины (заготовки) производят при температуре 800−1200°С в среде кислорода или насыщенных водяных паров. В результате на поверхности кремния образуется пленка окисла толщиной от 0,1 до 2—3 мкм. Пленка является хорошим диэлектриком, имеет высокую адгезию (хорошее соединение) с кремнием и непроницаема для атомов примесей, как донорных, так и акцепторных. В последнее время получило распространение анодное окисление, в результате которого можно получить пленки почти любой толщины. Травление осуществляют в плавиковой кислоте и приводят к растворению плёнки SiO2. Фотолитография заключается в нанесении на пластину фоточувствительного слоя. Этот слой засвечивают через маску, и при проявлении на пластине образуется рисунок определенной конфигурации. При травлении пластины в плавиковой кислоте под рисунком SiO2 не удаляется, окна в защитной пленке SiO2 вскрываются только на неосвещенных участках. Фотолитография позволяет создать рисунки с размерами элементов не менее 2 мкм. Более высокой разрешающей способностью облагает электронно-лучевая литография, позволяющая при засветке пластины электронным лучом создавать элементы с минимальными размерами до 0,1 мкм. Диффузиию примесей производят при температуре 800—1250°С в среде газа с легирующей примесью. На незащищенных участках (окнах в защитной пленке SiO2) происходит диффузия атомов примеси в глубь пластины и формируются слои полупроводника с различной электропроводностью (pили n) в зависимости от типа примеси. Глубина диффузии регулируется режимом диффузии (температура, продолжительность и т. д.). Ионное легирование производят в ускорителе ионов при энергии ионов 80— 300 кэВ. Оно позволяет более точно дозировать концентрацию и глубину проникновения легирующих примесей. Эпитаксия представляет собой процесс наращивания кристалла полупроводника с контролируемой электрической проводимостью. Её осуществляют при температуре до 1250°С в потоке смеси газов. Напыление или нанесение пленок производят в вакууме при распылении металлической или диэлектрической навески. Таким путем формируют соединения и металлические контактные площадки, к которым с помощью микросварка приваривают внешние выводы. Напылением в гибридных микросхемах изготовляют пассивные элементы. Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|