ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Электрический расчет схемы
Порядок расчета LC-генератора на транзисторе. Основными техническими данными для расчета транзисторного LC-генератора являются: выходная мощность, отдаваемая автогенератором в нагрузку, Рвых и частота генерируемых колебаний fр. Порядок расчета транзисторного генератора рассмотрим применительно к схеме, приведенной на рис. 9.2,а. 1.Выбираем тип транзистора. При заданном значении Рвых мощность Рк, которую должен отдать транзистор в контур, составляет
РК =Рвых/ηк, (1.11)
Вт
Где ηк, - КПД контура. При повышенных требованиях к стабильности частоты автогенератора КПД контура ηк выбирают в пределах 0,1…1,2. В остальных случаях его можно увеличить до 0,5…0,8. Выбирая транзистор, необходимо исходить из условий
РК max >PK, (1.12) fmax ≥fp, (1.13)
где РК max –максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора выбранного транзистора; fmax –максимальная частота генерации биполярного транзистора; выбранного типа. Параметры РК max = 0,4Вт. и fmax = 200 МГц. высокочастотных транзисторов приведены в справочнике по полупроводниковым приборам (взяли транзистор КТ 668В, или его аналог BС393) 2. Рассчитываем энергетический режим работы генератора. Выбираем импульс коллекторного тока косинусоидальной формы. Считая, что в критическом режиме угол отсечки тока коллектора θ=90°,по графикам рис.1.2 находим коэффициенты разложения импульса коллекторного тока α1=0,5; α0=0,318. Находим усредненное время движения τп носителей тока между p-n переходами транзистора по формуле
τп≈1/2πfmax (1.14) c
Вычисляем угол пробега носителей тока
φпр=2πfрτп (1.15)
Вычисленное по формуле (1.15) значение φпр выражаем в градусах. При этом учитываем, что при φпр=2π угол φпр=360°. Находим угол отсечки тока эмиттера
θэ=θ-φ°пр (1.16) ;
По графикам рис. 1.2 определяем коэффициенты разложения импульса эмитерного тока α1(Э) и α0(Э) Напряжение питания можно определить по формуле (1.17) при этом Uk берем в пределах 0,8…1,2 В:
(1.17) ;
Коэффициент использования коллекторного напряжения выбираем из соотношения:
ξ=1-2Рк/Ек2Sкрα1 (1.18) ;
где Sкр – крутизна линии критического режима выбранного транзистора (при отсутствии данного параметра в справочнике значение Sкр определяют графически в семействе идеализированных выходных характеристик транзистора; из справочника возьмем Sкр=0,03). Определяем основные электрические параметры режима: амплитуду переменного напряжения на контуре Uмк=ξ|Ek|; (1.19)
амплитуду первой гармоники коллекторного тока
IK1m=2PK/Umk; (1.20) ;
Постоянную составляющую коллекторного тока
IKпост=α0IK1m/α1 (1.21)
;
максимальное значение импульса тока коллектора
IKи max= IK1m/α1 (1.22) ;
мощность, расходуемую источником тока в цепи коллектора
Р0=IKпост|Ek|; (1.23) ;
мощность, рассеваемую на коллекторе
РК рас=Р0-РК (1.24) ; причем необходимо, чтобы
РК рас<РK max (1.25)
КПД по цепи коллектора η=РК/Р0 (1.26) ;
Эквивалентное резонансное сопротивление контура в цепи коллектора
Rрез=Umk/IK1m (1.27) ;
Находим коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОБ на рабочей частоте
h21б(fp)=h21б/ (1.28) ;
Где h21б(fp) – коэффициент передачи тока на низкой частоте; f h21б(fp)-предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора выбранного типа. Для определения параметра h21б (значение которого не всегда приводится в справочниках) может быть использована формула
h21б= h21э/(1+ h21э) (1.29) ; где h21э-коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ. Определяем амплитуду первой гармоники тока эмиттера
IЭ1m=IK1m/ h21б(fp) (1.30) ;
Находим амплитуду импульса тока эмиттера
IЭ u max= IЭ1m/α1(Э) (1.31) ;
Рассчитываем амплитудное значение напряжения возбуждения на базе транзистора, необходимое для обеспечения импульса тока эмиттера IЭ u max без учета влияния частоты
UБЭm= IЭ u max/(1-cosθэ)S0 (1.32) ;
где S0-крутизна характеристики тока коллектора. Определяем напряжение смещения на базе, обеспечивающее угол отсечки тока эмиттера,
UБЭсм=Ес+ UБЭmcosθэ (1.32) ;
где Ес – напряжение среза. В случаях, когда значение напряжения среза в справочниках не приводится, его можно найти по идеализированным (спрямленным) характеристикам транзистора или ориентировочно принять равным Ес=(0,1…0,2)В (полярность Ес зависит от типа транзистора: для транзисторов p-n-p на базу подается отрицательное, а для транзисторов n-p-n положительное напряжение смещения). Находим коэффициент обратной связи
Ксв= UБЭm/Umk (1.33) ;
Для выполнения условия баланса амплитуд необходимо выполнить условие
Ксв≥ Ксв min=1/S0Rрез (1.34) ;
Рассчитываем сопротивление резисторов R1и R2. Для этого задаемся током делителя, проходящим через эти резисторы
IД≈5IБпост (1.35) ;
где IБпост - постоянная составляющая тока базы выбранного транзистора. Величину IБпост можно найти по формуле
IБпост=IKпост/h21Э (1.36) ;
(h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора выбранного типа в схеме с общим эмиттером). Зная IД, находим R2 по формуле
R2= UБЭсм/ IД (1.37) ;
Поскольку ток делителя на много превышает ток базы транзистора, последний не изменит существенно ток, протекающий через резистор R1. поэтому
R1=(Ek-UБЭсм)/IД (1.38) ;
Мощность, рассеиваемая на резисторах R1 и R2, соответственно равна PR1=I2ДR1; PR2=I2ДR2. С учетом этих значений выбираем стандартный тип резисторов R1 и R2 по шкале номинальных сопротивлений резисторов. Находим емкость разделительного конденсатора С1 С1≈(10…20) Сэ, где Сэ – емкость эмитерного перехода транзистора.
С1 = 15·70 Пф = 1 нФ
Элементы цепочки термостабилизации R3C2 определяются так же, как и при расчете избирательного усилителя на транзисторе
R3≈UЭ/IЭпост (1.39) ;
где UЭ падение напряжения на резисторе эмиттерной стабилизации (порядка (0,7…1,5)В); IЭпост – постоянный ток эмиттера (IЭпост≈IКпост). Емкость конденсатора С2 равна
С2≥(15…30)103/fpR3 (1.40) ;
Где С2 выражается в микрофарадах; fp – мегагерцах; R3 – в килоомах Стандартные значения R3 и С2 выбираются по шкале нормальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов 3. Определяем параметры контура. Задаемся добротностью одиночного (ненагруженного)контура. Экспериментальным путем установлено, что у генераторов малой и средней мощности добротность ненагруженных контуров составляет: на волнах 20…50м (15 МГц…6 МГц) Q=150…300; на волнах 50…100м (6 МГц…3 МГц) Q=100…250; на волнах 100…1000м (3 МГц…300 кГц) Q=80…200. Добротность нагруженного контура подсчитывается по формуле
Q'=Q(1-ηк) (1.41) ;
где ηк – КПД контура. Находим минимальную общую емкость контура Ск min по приближенной формуле
Ск min≈(1…2)λр (1.41) ;
λр – рабочая длина волны колебаний (λр=с/fp, где с – скорость света), м; Ск min выражается в пикофарадах). В общую емкость контура Ск min входят емкость конденсатора С3 (рис. 9.2 а) и выносимые (паразитные) емкости: выходная емкость транзистора, емкость катушки контура, емкость монтажа и др. Общая величина вносимой емкости Свн обычно составляет десятки пикофарад. Следовательно, емкость конденсатора контура С3 мажет быть найдена по формуле
С3≈ Ск min-Свн (1.42) ;
Вполне понятно, что формула (1.42) позволяет установить лишь ориентировочное значение емкости С3; более точное значение определяется в процессе настройки схемы. Рассчитываем общую индуктивность контура Lk
Lk=0.282λ2p/Ск min (1.43) ;
где Lk выражается в микрогенри; λр – в метрах; Ск min – в пикофарадах. Определим волновое (характеристическое) сопротивление контура
ρ=103 (1.44) ;
(ρ выражается в омах; Lk – в микрогенри; Ск min – в пикофарадах. Находим сопротивление потерь контура
Rп=ρ/Q' (1.45) ;
Рассчитываем сопротивление, вносимое в контур
Rвн= Rпηк/(1-ηк) (1.46) ;
Полное сопротивление контура равно
RK= Rп+ Rвн (1.47) ;
Определяем амплитуду колебательного тока в нагруженном контуре
Imk= (1.48) ;
Находим величину индуктивности L2 связи контура с базой транзистора (приложение)
L2=KсвLk (1.49) ;
Определяем величину индуктивности связи контура с коллектором транзистора
L1=Lk-L2 (1.50) ; Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|