Свойства транзистора и усилительных каскадов при наличии двухполюсника в общем проводе.

Включение в схему каскада сопротивления ZF вызывает появление внутрикаскадной обратной связи, которая снижает входную проводимость, повышает устойчивость параметров каскада по отношению к воздействию дестабилизирующих факторов, но при этом снижает коэффициент усиления по напряжению и мощности.

В дальнейшем параметры и схемы, соответствующие ненулевому значению ZF, будем отмечать индексом "F". Так схемные построения будем соответственно обозначать ОЭF, ОКF и ОБF.

Двухполюсник ZF удобно рассматривать как составную часть самого транзистора, имеющего измененные значения Y-параметров. В основной рабочей частотной области транзистора (f << fS) при резистивном характере двухполюсника ZF, когда ZF = RF, для всех схем включения транзистора

g _{11 F} = (g ₁₁ + R_F D)/ F» g ₁₁/ F;

g _{21 F} = (g ₂₁ – R_F D)/ F» g ₂₁/ F;(1)

g _{12 F} = (g ₁₂ – R_F D)/ F» g ₁₂;

g _{22 F} = (g ₂₂ + R_F D)/ F» g ₂₂/ F;

где Δ = g11g22 – g12g21; F = 1 + (g ₂₁ + g ₁₁ + g ₂₂ + g ₁₂) R_F, при этом для различных схем включения транзисторов выполняются соотношения Δоэ=Δок=Δоб;

F _оэ = F _ои = 1 + (g ₂₁ + g ₁₁ + g ₂₂ + g ₁₂) R_F» 1 + (g ₂₁ + g ₁₁) R_F» 1 + g ₂₁ R_F;

F _ок = F _ос = 1 + g ₂₂ R_F;

F _об = F _оз = 1 + g ₁₁ R_F.

Для биполярных транзисторов соотношение между g-параметров таково, что .

Из этого соотношения следует, что наиболее заметное влияние на параметры транзистора и свойства схем ZF оказывает в основой схеме включения (при включениях ОЭ), существенно меньшее – в схемах повторителей тока (при включениях ОБ) и практически не сказывается в повторителях напряжения (при включениях ОК F _ок » 1). Следует отметить, что включение в эмиттерную цепь дополнительного резистора RF линеаризирует передаточную ВАХ транзистора, расширяет область входных сигналов Uбэ, в пределах которой преобразование этих входных напряжений в выходной сигнальный ток можно считать линейным. Сквозная ВАХ эквивалентного транзистора (транзистора, неотъемлемой частью которого является резистор RF) имеет вид U _{бэ F} = U _бэ + I _э0 R_F = m U_T ln(I _э0/ I _оэ) + I _э0 R_F, где U _{бэ F} – напряжение база-эмиттер эквивалентного транзистора.

В случаях, когда комплексным характером параметров транзистора или двухполюсника ZF пренебречь нельзя, приведенные соотношения (1)…(3) остаются в силе, за исключением того, что все или часть входящих в них данных приобретают комплексный характер. Например, на частотах f > fS вместо g-параметров транзистора следует использовать его Y-параметры, при этом ряд входящих в левую часть (1) … (3) результатов также приобретает комплексный характер.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: