Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Описание процесса осаждения




DEPOSIT –команда, осуществляющая нанесение материала на подложку.

Синтаксис:

DEPOSIT MATERIAL|NAME.RESIST =<n>;

THICKNESS =<n>;

[DIVISIONS=<n>][DY=<n>][YDY=<n>][MIN.DY =<n>][MIN.SPACE =<n>]

[MACHINE =<n>]

[TIME =<n>][HOURS|MINUTES|SECONDS]

[N.PARTICLE =<n>][OUTFILE =<n>]

Где:

MATERIAL|NAME.RESIST =<n>; - название осаждаемого материала или резиста;

THICKNESS =<n> - толщина осаждаемой пленки;

[DIVISIONS=<n>][DY=<n>][YDY=<n>][MIN.DY=<n>][MIN.SPACE=<n>] -настройки сетки для осаждаемого материала;

[MACHINE =<n>] - название используемой установки;

[TIME =<n>] - время процесса;

[HOURS|MINUTES|SECONDS] - единицы измерения времени процесса;

[N.PARTICLE =<n>][OUTFILE =<n>] - параметры модели Монте-Карло[6].


 

Практическая часть

Цель работы: знакомство с интерфейсом и некоторыми возможностями системы ANHENA-ELITE. Сформировать заземляющее отверстие:

− Задать начальную структуру в соответствии с параметрами приведенными в таб. 1;

− Нанести на структуру слой резиста и удалить области для получения фоторезистивной маски нужного профиля

− Задать установку и произвести процесс травления имеющихся параметров задания в таб. 1;

− Удалить остатки резиста;

− Задать установку и произвести процесс осаждения пленки золота (модель MONTE1)

 

Таблица 1 – Исходные данные

Начальная структура GaAs(100)
Размеры 10Х5
Маска MAP1275
Толщина 1 мкм
Глубина  
Селективность 4,5
Анизотропия  
Толщина золота 3 мкм

 


 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных