ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Описание технологии изготовления микросхемы.
Высшего профессионального образования АСТРАХАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Электрооборудования и автоматики судов
Курсовая работа
по дисциплине «Физические основы электроники»
На тему: «Расчет функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе».
Вариант №11
Выполнил: ст.гр. ДТВ-31
Козаренко П.А.
Принял: доцент. Климкин К.А
Астрахань 2011 г.
Задание.
Тип микросхемы: К544УД2А.
Дифференциальнй усилитель U1=500..1200мВ U2=1200..500мВ
Расшифровка системы условных обозначений микросхемы К544УД2А.
| Микросхема предназначена для устройств широкого применения |
| порядковый номер разработки серии микросхем |
| К |
| А |
| Д |
| У |
| две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхемы. Дифференциальный усилитель |
| Порядковый номер разработки МС по функциональному признаку в данной серии |
| Различие в электрических параметрах (разбраковка) |
Описание технологии изготовления микросхемы.
Технология изготовления микросхемы операционного усилителя К544УД2А заключается в следующих основных технологических процессах:
Фотолитография— это процесс получения на поверхности пластины требуемого рисунка. Поверхность полупроводника, маскированного оксидной пленкой, покрывают фоторезистором (светочувствительным слоем). Затем для обеспечения равномерности покрытия пластину помещают на центрифугу и сушат. После этого экспонируют поверхности ультрафиолетовым излучением через маску, на которой выполнен требуемый рисунок в виде прозрачных и непрозрачных участков. Участки фоторезистора, оказавшиеся освещенными, будут задублены, а с неосвещенных (незадубленных) участков фоторезистр удаляют специальным составом.
Травление используют для того, чтобы с участков, не защищенных задубленным фоторезистором плавиковой кислотой, стравить диоксид кремния. В результате в оксидной пленке образуются окна, через которые и производится диффузия.
Диффузия - это процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины полупроводника получают р- или n -области путем введения акцепторных или донорных примесей. Проникновение примесей внутрь пластины полупроводника происходит за счет диффузии атомов, находящихся в составе паров, в атмосферу которых помещена нагретая до высокой температуры полупроводниковая пластина.
Эпитаксией называют процесс выращивания одного монокристалла на грани другого. Полупроводниковые эпитаксиальные пленки могут быть получены различными способами: термическим испарением в вакууме, осаждением из парообразной фазы, распылением в газовом промежутке. Изменяя тип примеси и условия выращивания можно в широких пределах изменять электрические свойства эпитаксиальной пленки. Следует отметить, что процесс эпитаксии при изготовлении полупроводниковых элементов может заменить процесс диффузии.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: