ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

Электронно-дырочный переход является рабочим элементом многих полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Электронно-дырочным или р-п переходом называется тонкий приконтактный слой между двумя частями полупроводникового кристалла, одна из которых обладает электронной, а другая - дыроч­ной электропроводностью. Такой слой получается легированием кристалла донорной и акцепторной примесями при технологической обработке. Р-п переход обладает уникальными свойствами: несим­метричной электропроводностью, изменяемой по нелинейному зако­ну, емкостью, сильной зависимостью электрического тока от различных внешних факторов - температуры, излучений, магнитных и электрических полей.

Литература: Л-1, с. 7...31; Л-6, с. 7...8,25...38;Л-8, с. 7...8,13...19.

Вопросы для самоконтроля: 1. Чем отличаются друг от друга проводники, полупроводники и диэлектрики? 2. Что является носи­телем электрических зарядов в полупроводнике? 3. Какое влияние оказывают примеси на электропроводность полупроводников? 4. 'Ка­кие примеси, называются донорными, какие акцепторными? 5. Что называется дрейфовым током? 6. Что называется диффузионным то­ком? 7. Дайте определение контактной разности потенциалов. 8. Как влияет ширина запрещенной зоны на значение контактной разности потенциалов для примесных полупроводников? 9. Что называется инжекцией, экстракцией? 10. Как влияет температура на вольт- амперную характеристику р-п перехода? 11. В чем проявляется ос­новное свойство р-п перехода? 12. Назовите виды пробоя р-п пере­хода и дайте им определения.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: