Методика расчёта статических параметров полевых транзисторов.

Статические параметры рассчитываются по семействам вольтамперных характеристик:

1 - величина крутизны характеристики S; 2 - величина внутреннего сопротивления R_i; коэффициент передачи по напряжениюопределяемый как графически Kvг (3) так и аналитически Kvа (4). (Лабораторная работа «Исследование ВАХ полевого транзистора»).

Полевые транзисторы с затвором Шотки (ПТШ).

В связи с тем, что основное назначение ПТШ работа на СВЧ канал выполняется на полупроводнике n -типа, т.к. носители заряда – электроны – подвижнее носителей дырок.

Возможно изготовление ПТШ и с каналом p -типа.

ПТШ выполняются двух типов: нормально открытыми (НО) и нормально закрытыми (НЗ), т.е. при отсутствии напряжения на затворе НО- транзистор проводит ток, а НЗ- транзистор ток не проводит.

Передаточные ВАХ НО и НЗ транзисторов

Устройство полевых транзисторов с затвором Шотки.

нормально открытый ПТШ нормально закрытый ПТШ

Принцип действия. Чтобы закрыть нормально открытый полевой транзистор необходимо на затвор подать большее (по модулю) отрицательное напряжение (т.е.большее обратное смещение), обеднённый слой при этом расширится, перекроет канал, проводимость канала уменьшится, и ток стока упадёт до нуля.

Чтобы открыть нормально закрытый ПТ необходимо на затвор подать большее положительное напряжение U_{зи пр} (большее прямое смещение), обеднённый слой при этом сужается, канал открывается, проводимость канала увеличивается, появляется и уве-личивается ток стока. Но это напряжение U_{зи пр}, не должно превышать величину напря-жения открывания p-n перехода затвор-канал, в противном случае через этот переход потечёт ток затвора, что недопустимо. Реальное напряжение затвор-исток U_зи = 0,2¸0,5 В

Нормально закрытые полевые транзисторы работают на малых токах и с малыми поло-жительными напряжениями (+ U_зи). Такие транзисторы применяются в быстродействующих интегральных схемах. Удобство их примения в интегральных структурах заключается в том, что полярность напряжений сток-исток и затвор-исток - одинаковые.

Пример маркировки ПТШ выполненого на GaAs, предназначенный для работы на частотах до 60 ГГц: 3П376А. (3-тип полупроводника, П-тип транзистора, 3-мощность, 76-номер разработки, А-группа разбраковки при производстве).

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: