ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) транзисторы.
структура МДП транзистора режим инверсии при Uз>> 0
При наличии напряжения между затвором и подложкой возникает так называемый эффект поля приводящий к изменению концентрации свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника. Возможны три электрических режима состояния приповерхностного слоя: обеднения, инверсии и обогащения. Рабочим режимом является режим инверсии (подробнее смотрите выше – “режимы МДП перехода”). В режиме инверсии (при Uз>>0) в приповерхностном слое (под затвором) возникает хорошо проводящий инверсионный слой - с типом проводимости противоположной проводимости подложки – т.е. инверсный. В МДП транзисторе этот слой играет роль проводящего канала.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: