ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Загальні теоретичні відомостіЛабораторна робота 3. Зняття характеристик і знаходження h-параметрів біполярного транзистора по схемі з ЗЕ. Мета — Здобути практичні навики в знятті характеристик транзистора, увімкненого по схемі з загальним емітером.
Загальні теоретичні відомості Транзистор - напівпровідниковий триелектродний прилад, який широко застосовується для посилення генерування або перетворювання електричних сигналів. Він представляє собою кристал з трьохшаровою структурою р-n-р або n-р-n, поміщений в герметичний корпус з трьома виводами, кожен з яких пов’язаний з визначеною областю кристала. Одна з крайніх областей транзистора має назву - емітер, друга - колектор, а середня область зветься базою. Таким чином, у транзисторі існує два р-n- переходи; емітерний (між емітером і базою) і колекторний (між базою і колектором). Існує три схеми підключення транзисторів: з загальною базою (ЗБ), загальним емітером (ЗЕ) та загальним колектором (ЗК). Для кожного з цих схем існують свої вхідні й вихідні статичні характеристики. Вхідна статична характеристика транзистора підключеного по схемі з загальним емітером, уявляє собою залежність струму бази від напруги між емітером і базою при постійному значенні напруги, прикладеній між емітером і колектором:
Вихідна статична характеристика транзистора, включений по схемі з загальним емітером, уявляє собою залежність струму колектора від напруги між колектором і емітером при постійному струмі бази:
На рисунку дані статистичні характеристики транзистора, підключеного по схемі з загальним емітером. Статичні характеристики транзистора, включеного по схемі з загальним емітером, знімаються за допомогою схеми, зображеної на рисунку 2. Для розрахунку і аналізу схем на транзисторах часто використовують систему h-параметрів. , якщо U2=0 (вхідна опір транзистора при короткому замкнені на виході); , якщо I1=0 (коефіцієнт зворотного зв’язку показуючий, яка частина U2 вихідного змінной напруги U2 передається на вхід транзистора при розімкненому вхідному ланцюзі); , якщо U2=0 (коефіціент передачі за струмом при короткому замкнені на виході)
, якщо I1=0 (вихідна провідність транзистора при розімкненому вхідному ланцюзі). Однотипні h-параметри отримуються різними для відмінних схем увімкнення транзистора, отже їх позначають додатковим індексом: для схеми ОБ, наприклад h11б, h12б і т.д.; а для схеми ОЭ - h11Е, h12Е і т.д.
Рисунок 1 - Статичні характеристики транзистора, увімкненого по схемі з загальним емітером: а) вхідні характеристики; б) вихідні характеристики.
Рисунок 2 - Схема дослідження транзистора з загальним емітером
Показники h-параметрів можна визначити по статичним характеристикам транзистора. Виражаючи значення струму і напружений через відповідні прирощення для транзистора увімкненого по схемі з загальним емітером, одержимо; , якщо , якщо , якщо , якщо
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|