Комбинированные транзисторы

Классификация транзисторов

По основному полупроводниковому материалу

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

§ Германиевые

§ Кремниевые

§ Арсенид-галлиевые

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

По структуре

Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.

§ Биполярные

§ n-p-n структуры, «обратной проводимости».

§ p-n-p структуры, «прямой проводимости»

§ Полевые

§ с p-n переходом

§ с изолированным затвором

§ Однопереходные

§ Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)

	p-n-p		канал p-типа
	n-p-n		канал n-типа
Биполярные		Полевые

Обозначение транзисторов разных типов.
Условные обозначения:
Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база;
З — затвор, И — исток, С — сток.

Комбинированные транзисторы

§ Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RET s)) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

§ Транзистор Дарлингтона — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

§ на транзисторах одной полярности

§ на транзисторах разной полярности

§ Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

§ Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами.

По мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

§ маломощные транзисторы до 100 мВт

§ транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

§ мощные транзисторы (больше 1 Вт).

По исполнению

§ дискретные транзисторы

§ корпусные

§ Для свободного монтажаДля установки на радиатор

§ Для автоматизированных систем пайки

§ бескорпусные

§ транзисторы в составе интегральных схем.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: