Серия и основные параметры ИМС ЭСЛ

ИМС ЭСЛ, Для ограничения перепада выходного напряжения используются ис­точники опорного напряжения Е_оп и смещения E_см. Все входы дифференциального усилителя подключены через резисторы R₆ к источнику питания, что позволяет неиспользуемые входы ИМС оставлять неподключенными.

Первым разработчиком ИМС по технологии ЭСЛ была фирма Motorola, ко­торая выпустила серию ИМС МС10000 (МС10К). В процессе усовершенствования этих ИМС была выпущена серия МС100000 (МС100К).

Основные параметры ИМС ЭСЛ и их отечественные аналоги приведены в табл. 12.4. Микросхемы серий 500 и 1500 имеют несколько отличающиеся напря­жения питания (-5,2В и -4,5В), однако по уровням входных и выходных логи­ческих сигналов они совместимы. Напряжение логического нуля равно -1,8В, а напряжение логической единицы равно -0,9 В.

В ИМС, выполненных по технологии КМОП, в качестве базового элемента используются ключевые схемы, построенные на комплементарных МОП-транзис­торах. На рис. 12.4 приведена схема логического элемента И-НЕ, выполненного по технологии КМОП. Эта схема состоит из двух групп ключей на полевых тран­зисторах 71, 73 и 72, 74. Каждая группа управляется одним сигналом Х₁ или Х₂.

При подаче сигналов Х₁=Х₂= «1»ключи на транзисторах Т1 и Т2 размы­каются, а ключи на транзисторах ТЗ и Т4 замыкаются. В результате сигнал на выходе Y= X ₁ X ₂

Применение полевых транзисторов с изолированным затвором обеспечива­ет высокое входное сопротивление мик­росхем КМОП. Благодаря малой вход­ной емкости n высокому сопротивле­нию микросхемы КМОП чувствительны к статическому электричеству. Пробой изоляции под затвором происходит при напряжении около 30В, в результате чего транзистор повреждается.

Таблица 12.5

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: