Метод Самойловіча-Баранського

Метод заснований на розробленій авторами теорії анізотропного розсіяння носіїв заряду в багатодолинних напівпровідниках n-типа провідності. Введення в чинник анізотропії показників, що враховують не тільки анізотропію часів релаксації, але і анізотропію ефективних мас згідно виразу

дозволило отримати точні формули для розрахунку кінетичних коефіцієнтів. Відхилення зміряних значень цих коефіцієнтів від теоретичних вельми точно визначається Ni=Nd+N .

В одному з варіантів методу використовується залежність рухливості від хол-чинника і загальної концентрації іонізованих домішок (рис. 3.8). В іншому варіанті використовується концентраційна залежність постійної Холу. Недоліками методу є його застосовність тільки до матеріалів, що володіють n-типом електропровідності, і слаба чутливість в області відносно низьких концентрацій (менше 10¹⁵ см-3).

На закінчення відзначимо, що для високочистих матеріалів останнім часом найбільший розвиток отримали методи фототермоіонізаційної спектроскопії, низькотемпературної фотолюмінесценції, ІЧ-спектроскопії при

Рис. 3.8. Роздільне визначення концентрації донорів і акцепторів по методу Самойловіча-Баранського для n-Ge

низьких температурах, які більшою мірою застосовуються в лабораторній дослідницькій практиці, а в промисловій метрології зважаючи на складність устаткування і невисокої продуктивності широкого використовування не отримали.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: