ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Мікросхеми постійних запамятовувальних пристроїв
 |
У мікросхемах ПЗП і ППЗП елементами пам'яті є діоди, біполярні і МОП-транзистори, а також КМОН-структури. Елементи пам'яті розміщуються у вузлах матриці, утворених адресними лініями рядка Xi і стовпчика Yj. Стан “1” відповідає з'єднанню ЕП з розрядною лінією, а стан “0” означає відсутність зв'язку (для прямих виходів мікросхеми пам'яті). У масочних ПЗП розрив з'єднань ЕП з розрядними лініями при записуванні інформації виконує завод-виготівник (рис. 6.9).
Рис. 6.9. Елемент пам'яті масочних ПЗП: а – на діодах; б – на багатоемітерних транзисторах; в – на МОН-транзисторах
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: