ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Гибридные интегральные микросхемыГибридные интегральные микросхемы (ГИМС) имеют следующие основные конструктивные элементы: изоляционное основание из стекла, керамики или другого материала, на поверхности которого расположены пленочные проводники, контактные площадки, резисторы и конденсаторы (как правило, небольшой емкости), изготовленные методом напыления; навесные бескорпусные элементы (транзисторы и диоды); навесные пассивные элементы в специальном миниатюрном исполнении, которые не могут быть выполнены в виде пленок (конденсаторы большой емкости, трансформаторы, дроссели); пластмассовый или металлический корпус, который служит для герметизации схемы крепления выводных лепестков. На рис. 2.1 представлена конфигурация пленочных резисторов с малым (а) и большим (б) сопротивлениями. Такие резисторы в виде тонкой пленки чистого хрома, нихрома или тантала наносят непосредственно на изоляционную основу. Подобным способом удается получить резисторы с сопротивлениями от тысячных долей ом до десятков килоом. Для получения более высокоомных резисторов (до десятков мегаом) применяют металлодиэлектрические смеси, например из хрома и моноокиси кремния. Наилучшей стабильностью обладают нихромовые резисторы, у которых температурный коэффициент сопротивления ТК R составляет 10-41/°С, при этом допуск на номинал составляет ±5%, необратимые изменения номинальных значений сопротивления менее 0,5% за 1000 ч работы. Резисторы на основе пленки тантала позволяют осуществлять точную доводку сопротивления с погрешностью 0,5—1,0% за счет окисления поверхностного слоя во время термического отжига. Резисторы на основе металлокерамических смесей имеют очень высокие значения параметров, однако свойства этих резисторов сильно зависят от технологических факторов и имеют плохую воспроизводимость Площади пленочных резисторов составляют (1÷2)∙10-3 см2. На рис. 2.2 схематически показана конструкция пленочного конденсатора. Нижняя и верхняя обкладки такого конденсатора выполнены в виде тонких пленок из меди, серебра, алюминия или золота. Однако эти металлы не обеспечивают хорошей адгезии с материалом подложки. Для улучшения адгезии напыление металлов производят с подслоем хрома, титана, молибдена. В качестве диэлектрика в конденсаторах применяют пленку из силиката алюминия, титаната бария, двуокиси титана, окиси бериллия, кремния и др. Эти пленки обладают хорошей электрической прочностью и высокой диэлектрической проницаемостью. Конденсаторы такого типа могут иметь емкость от десятых долей до десятков, тысяч пикофарад. Площади пленочных конденсаторов от 10-3 до 1 см2.
Рис. 2.2. Конструкция конденсатора в гибридной микросхеме: 1 — диэлектрик; 2 — обкладки; 3 —подложка Рис. 2.3. Крепление навесных компонентов в гибридной микросхеме: / — навесной компонент; 2 —> шариковые выводы; з — подложка; 4 — контакты
Проводники в гибридной интегральной микросхеме обеспечивают необходимое соединение элементов между собой, и их подключение к выводным зажимам обычно выполняют в виде тонкой пленки золота, меди или алюминия с подслоем никеля, хрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию к изоляционному основанию, а слой золота, меди или алюминия — высокую электрическую проводимость. Медные соединительные проводники для защиты от внешних влияний и улучшения условий пайки или сварки покрывают тонкой пленкой (0,5—1,0 мкм) золота или никеля. Алюминиевые проводники обладают достаточно высокой коррозионной стойкостью. Защитный слой никеля в этом случае служит для улучшения условий пайки. Навесные активные компоненты с гибкими выводами из золотой проволоки диаметром 30—50 мкм присоединяют к пленочной микросхеме пайкой или сваркой. В последнее время широкое распространение получили активные компоненты с шариковыми выводами (рис. 2.3), с помощью которых осуществляется жесткое крепление и электрическое подсоединение активных компонентов. Плотность пассивных и активных компонентов при их многослойном расположении в гибридной интегральной1 микросхеме, выполненной по тонкопленочной технологии, может достигать 300—500 эл/см2. Внешний вид гибридной интегральной микросхемы без корпуса показан на рис. 2.4. Собранную гибридную интегральную микросхему помещают в жесткий металлический или пластмассовый корпус, предназначенный для повышения механической прочности и герметизации схемы (рис. 2.5). Надежность гибридных интегральных микросхем довольно высокая, среднее время безотказной работы при испытаниях в наиболее тяжелых режимах может достигать 106 ч и более. В условиях эксплуатации в ненагруженных режимах время безотказной работы выше на несколько порядков.
Рис. 2.4. Общий вид монтажа гибридной микросхемы Рис. 2.5. Гибридная микросхема в корпусе
Электронные устройства, выполненные с применением гибридных интегральных микросхем, могут иметь плотность упаковки 60—100 эл/см3 (активных и пассивных). При такой плотности упаковки объем устройства, содержащего 107 пассивных и активных элементов, может составлять всего 0,1—0,5 м3, а среднее время безотказной работы достигает 103 − 104 ч и более. Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|