Сток-исток величина перекрытия DL

увеличивается, а физическая длина канала L¹ -

уменьшается.

Параметры МДП транзисторов.

Крутизна стокозатворной характеристики S = dI_c/dU_зи при U_cи = const и U_пи = const.

Для увеличения крутизны S необходимо уменьшать толщину подзатворного диэлектрика; уменьшать длину канала; увеличивать подвижность носителей (электронов) в канале; увеличивать ширину канала. Крутизна управления каналом при помощи напряжения на подложке S_п = dI_c/dU_пи. При этом надо иметь ввиду, что S_п < S.

Внутреннее сопротивление R_i = dU_си/dI_с при U_зи = const и U_пи = const. Внутреннее сопротивление R_i тем больше чем выше напряжение на стоке. У полевых транзисторов внутреннее сопротивление достигает величин в десятки и сотни Ом.

Коэффициент усиления по напряжению μ = dU_си/U_зи при I_с = const.. μ = S × R_i.

Напряжение пробоя стокового перехода U_{cи проб} зависит от напряжения затвор-исток U_зи – чем меньше это напряжение, тем выше вероятность пробоя промежутка сток-исток (канала) т.е. наихудшие условия работы транзистора создаются при его закрытом состоянии.

Напряжение пробоя подзатворного диэлектрика. При критической напряженности поля Е_кр = 10⁷В/cм и толщине подзатворного диэлектрика d = 0,05мкм - U_проб» 50В.

Обратные токи стокового I_со и истокового I_ио переходов вызваны термогенерацией.

Ёмкость затвор-канал С_зк = ε₀ε_дbL/d_д. Для уменьшения этой ёмкости надо уменьшать длину канала L; уменьшать диэлектрическую проницаемость подзатворного диэлектрика ε_д; увеличивать толщину диэлектрика d_д. Однако увеличение толщины d_д приводит к уменьшению крутизны S, что делать нежелательно, т.е. требования противоречивы.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: