Выходные характеристики

Статические характеристики транзистора

Схема с общей базой (с ОБ)

Iэ Iк     + Uэб Iб Uкб + p-n-p

Входные характеристики

I_э=j(U_эб) при U_кб=const

Входные характеристики имеют экспоненциальный вид, так как на эмиттерный переход подано прямое напряжение. Его значение не превышает 0,3...0,5В для Ge, и 0,6...0,8В для Si.

Выходные характеристики

- это семейство кривых I_к=f (U_кб) при I_э=const.

В упрощенной формуле I_к=aI_э+I_кб0, по которой I_к вообще не зависит от U_кб, нужно добавить ещё одно слагаемое, учитывающее небольшой рост тока коллектора при увеличении U_кб за счёт расширения коллекторного перехода и соответствующего сужения базы:

,

где r_к.диф - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, или

,

где h_22б - выходная проводимость транзистора в схеме ОБ.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: