ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Параметры биполярных транзисторов
По статическим характеристикам можно найти:
- входное сопротивление
R ВХ = Δ U ВХ / Δ I ВХ; (1)
- выходное сопротивление
R ВЫХ = Δ U ВЫХ / Δ I ВЫХ; (2)
- коэффициент усиления по току
β = I ВЫХ / I ВХ. (3)
Максимальные параметры транзисторов: максимально допустимая рассеиваемая мощность К, максимально допустимые напряжения переходов К-Э и К-Б, максимально допустимый коллекторный ток, максимальная (предельная) частота генерации.
Схема экспериментальной установки
Схемы включения БТ с общей Б и общим Э представлены на рисунках 8 – 9.
Порядок выполнения работы
1 Исследовать статические характеристики транзистора в схеме с общей базой. Для этого переключатель схем на нижней панели установки перевести в положение «с общей базой». Установить на измерительных приборах следующие пределы измерений:
- на приборе V2 – 15 В (-U);
- на мультиметерах mA1 и mA2 – 20 мА.
1.1 Снять семейство входных характеристик транзистора U ЭБ = f (I Э). Для этого с помощью рукоятки R3 установить на V2 коллекторное напряжение U К= 0. Меняя c помощью резистора R2 входной ток I Э на мультиметере mА1 в пределах от 0 до 1 мА, измерить входное напряжение U ЭБ (mV1). Данные занести в таблицу 1.
Таблица 1 – Входные характеристики транзистора
| U КБ = 0 | I Э, мА | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,6 | 0,7 | 0,8 | 0,9 | 1,0 | |
| U ЭБ, мВ | ||||||||||||
| U КБ=5 В | U ЭБ, мВ | |||||||||||
| U КБ=10 В | U ЭБ, мВ |
Затем снять такие же характеристики при U КБ ≠ 0 (5 В; 10 В). Полученные данные занести в таблицу, построить по ним ВАХ эмиттера.
1.2 Снять семейство выходных характеристик транзистора I К = f (U КБ). Для этого с помощью рукоятки R2 установить на mV1 эмиттерное напряжение U Э= 0. Меняя c помощью резистора R3 выходной ток I К на мультиметере mА2, измерить выходное напряжение U КБ (mV2). Данные занести в таблицу 2.
Таблица 2 – Выходные характеристики транзистора
| U ЭБ1 = 0 | I К, мА | |||||||||||
| U КБ, мВ | ||||||||||||
| U ЭБ2 | U КБ, мВ | |||||||||||
| U ЭБ3 | U КБ, мВ | |||||||||||
| U ЭБ4 | U КБ, мВ | |||||||||||
| U ЭБ5 | U КБ, мВ |
Затем снять такие же характеристики при U КБ ≠ 0. Полученные данные занести в таблицу 2, построить по ним ВАХ коллектора.
1.3 Снять характеристики управления транзистора I К = f (I Э). Полученные данные занести в таблицу 3, построить по ним графическую зависимость.
Таблица 3 – Характеристики управления
| I Э, мВ | |||||||||||
| I К, мВ |
1.4 Найти входное и выходное сопротивления и коэффициент усиления по току по формулам (1-3).
2 Исследовать статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Для этого переключатель схем на нижней панели установки перевести в положение «с общим эмиттером». Установить на измерительных приборах следующие пределы измерений:
- на приборе V2 – 15 В (-U);
- на мультиметерах mA1 и mA2 – 20 мА.
1.1 Снять семейство входных характеристик транзистора U ЭБ = f (I Э). Для этого с помощью рукоятки R3 установить на V2 коллекторное напряжение U К= 0. Меняя c помощью резистора R2 входной ток I Б на мультиметере mА1 в пределах от 0 до 1 мА, измерить входное напряжение U ЭБ (mV1). Данные занести в таблицу 1.
Таблица 1 – Входные характеристики транзистора
| U КЭ = 0 | I Б, мА | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,6 | 0,7 | 0,8 | 0,9 | 1,0 | |
| U ЭБ, мВ | ||||||||||||
| U КЭ=5 В | U ЭБ, мВ | |||||||||||
| U КЭ=10 В | U ЭБ, мВ |
Затем снять такие же характеристики при U КЭ ≠ 0 (5 В; 10 В). Полученные данные занести в таблицу, построить по ним ВАХ эмиттера.
1.2 Снять семейство выходных характеристик транзистора I К = f (U КЭ). Для этого с помощью рукоятки R2 установить на mV1 базовое напряжение U ЭБ= 0. Меняя c помощью резистора R3 выходной ток I К на мультиметере mА2, измерить выходное напряжение U КЭ (mV2). Данные занести в таблицу 2.
Таблица 2 – Выходные характеристики транзистора
| U ЭБ1 = 0 | I К, мА | |||||||||||
| U КЭ, мВ | ||||||||||||
| U ЭБ2 | U КЭ, мВ | |||||||||||
| U ЭБ3 | U КЭ, мВ | |||||||||||
| U ЭБ4 | U КЭ, мВ | |||||||||||
| U ЭБ5 | U КЭ, мВ |
Затем снять такие же характеристики при U ЭБ ≠ 0. Полученные данные занести в таблицу 2, построить по ним ВАХ коллектора.
1.3 Снять характеристики управления транзистора I К = f (I Б). Полученные данные занести в таблицу 3, построить по ним графическую зависимость.
Таблица 3 – Характеристики управления
| I Б, мВ | |||||||||||
| I К, мВ |
2 Найти входное и выходное сопротивления и коэффициент усиления по току по формулам (1-3).
Контрольные вопросы
1. Что такое транзистор?
2. Какие транзисторы называются биполярными?
3. Конструкция БТ.
4. p-n-р и n-р-n- транзисторы.
5. Три режима работы транзистора.
6. Нормальное и инверсное включение транзистора.
7. Активная, пассивная и периферическая части транзистора.
8. Классификация транзисторов по характеру движения носителей тока.
9. Какие физические процессы протекают в рабочем режиме БТ?
10. Классификация транзисторов по технологии изготовления.
11. Схемы включения транзистора.
12. Что такое статические характеристики транзистора?
13. Какие харатеристики транзистора относятся к статическим?
14. Характеристики транзистора в схеме с общей Б.
15. Характеристики транзистора в схеме с общем Э.
16. Входное и выходное сопротивление транзистора.
17. Коэффициент усиления по току.
18. Максимальные параметры транзистора.
19. Как проводился эксперимент по исследованию статических характеристик транзистора в схеме с общей базой?
20. Как проводился эксперимент по исследованию статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером?
Список использованных источников
1 Валенко, В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / Под ред. А.А.Ровдо. – М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2001. – 368 с.
2 Гуртов, В.А. Твердотельная электроника. – Петрозаводск, 2003. – 256 с.
3 Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 7-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2003. – 480 с.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: