ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

⇐ Предыдущая 123 4 5 6 Следующая ⇒

Цель: Изучение свойств полупроводниковых диодов путём снятия вольтамперных характеристик.

Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n -проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p -проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.

Рис. 1.1.1

При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «—» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.

⇐ Предыдущая 123 4 5 6 Следующая ⇒

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2025 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных