ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Эквивалентные схемы транзистора
Графический метод расчета громоздкий, неточный, исключает возможность аналитического анализа, используется для наглядного представления положения рабочей точки. Аналитический расчет производится только для переменных составляющих напряжений и токов. В этом случае транзистор заменяется эквивалентной схемой, которая представляет собой схему, состоящую из линейных пассивных и активных элементов. Эта схема справедлива только в режиме малого сигнала, т.е. когда связь между приращениями токов и напряжений линейна. Существует два вида эквивалентных схем: физическая, отражающая процессы, протекающие в транзисторе, и формальная, в которой транзистор представляется в виде четырехполюсника. Физическая эквивалентная схема составляется для переменных токов и напряжений, но при условии, что эмиттерный переход находится под прямым напряжением, а коллекторный переход - под обратным напряжением, а амплитуды сигналов таковы, что транзистор работает в линейном режиме. Широко применяется Т – образная эквивалентная схема, показанная на рисунке 2.10.
Рисунок 2.10 - Физическая эквивалентная схема биполярного транзистора
В этой схеме обозначено: · - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода включенного в прямом направлении. Обычно составляет несколько десятков Ом. · - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, включенного в обратном направлении. Обычно составляет несколько сотен кОм. · - объемное сопротивление базовой области. База выполняется с минимальной примесью, поэтому её сопротивление составляет порядка нескольких сотен Ом. · - дифференциальный коэффициент передачи по току при схеме включения с ОБ. · - емкость эмиттерного перехода, носит диффузионный характер, часто влияние этой емкости не учитывают даже на сравнительно высоких частотах, т.к. она шунтирована малым сопротивлением . · - емкость коллекторного перехода является барьерной емкостью, она оказывает сильное влияние на частотные свойства транзисторов.
Формальная эквивалентная схема получила наибольшее распространение т.к. формальные параметры легко измеряются и приводятся в справочниках. Рассмотрим формальную эквивалентную схему при включении транзистора с общим эмиттером (рисунок 2.11). Рисунок 2.11 - Эквивалентная замена транзистора четырехполюсником
Если за зависимые переменные принять и , то их можно выразить через независимые переменные в виде уравнений
(2.12)
Значение – параметров можно определить, проведя опыт короткого замыкания на выходе и опыт холостого хода на входе. Опыт короткого замыкания на выходе , тогда из системы уравнений следует - входное сопротивление транзистора при схеме включения ОЭ; - коэффициент передачи по току при схеме включения ОЭ. Опыт холостого хода на входе , тогда из системы уравнений следует - коэффициент внутренней обратной связи при схеме включения с ОЭ; - выходная проводимость при схеме включения с ОЭ. На основе приведенных уравнений можно построить эквивалентную схему транзистора в системе -параметров при включении с ОЭ (рисунок 2.12).
Рисунок 2.12 - Эквивалентная схема транзистора при включении с ОЭ
На практике численные значения параметров, если они не приведены в справочниках, определяют по статическим характеристикам транзистора. Параметры зависят от схемы включения транзистора, что отмечается третьим индексом "э", "б" или "к" соответственно для схем с ОЭ, ОБ или ОК. Покажем, как это делается, на примере схемы с ОЭ. Параметры и определяют по входным характеристикам транзистора (рисунок 2.13). Рисунок 2.13 - Определение - параметров по входной характеристике
В точке строят характеристический треугольник. При перемещении из точки в точку напряжение , т.е. , а входное сопротивление равно отношению катетов характеристического треугольника
. (2.13)
Коэффициент внутренней обратной связи находится при (), что соответствует переходу из точки в точку , (2.14) где . Параметры и определяют по выходным характеристикам транзистора (рисунок 2.14).
Рисунок 2.14 - Определение - параметров по выходным характеристикам
Для того, чтобы в точке определить параметр , строят характеристический треугольник . Тогда катетами треугольника будут приращения напряжения и тока , при выполнении условия . Численное значение параметра определяют по формуле
. (2.15)
Для определения параметра через точку проводят вертикальную линию, которая пересекает две соседних выходных характеристики. Отрезок пропорционален приращению тока , а приращение тока базы равно разности токов, при которых сняты выходные характеристики, то есть , при этом . Следовательно,
, (2.16)
где - .
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|