ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Загальні теоретичні відомості
Лабораторна робота 3.
Зняття характеристик і знаходження h-параметрів біполярного транзистора по схемі з ЗЕ.
Мета — Здобути практичні навики в знятті характеристик транзистора, увімкненого по схемі з загальним емітером.
Загальні теоретичні відомості
Транзистор - напівпровідниковий триелектродний прилад, який широко застосовується для посилення генерування або перетворювання електричних сигналів. Він представляє собою кристал з трьохшаровою структурою р-n-р або n-р-n, поміщений в герметичний корпус з трьома виводами, кожен з яких пов’язаний з визначеною областю кристала.
Одна з крайніх областей транзистора має назву - емітер, друга - колектор, а середня область зветься базою. Таким чином, у транзисторі існує два р-n- переходи; емітерний (між емітером і базою) і колекторний (між базою і колектором).
Існує три схеми підключення транзисторів: з загальною базою (ЗБ), загальним емітером (ЗЕ) та загальним колектором (ЗК). Для кожного з цих схем існують свої вхідні й вихідні статичні характеристики.
Вхідна статична характеристика транзистора підключеного по схемі з загальним емітером, уявляє собою залежність струму бази від напруги між емітером і базою при постійному значенні напруги, прикладеній між емітером і колектором:
Вихідна статична характеристика транзистора, включений по схемі з загальним емітером, уявляє собою залежність струму колектора від напруги між колектором і емітером при постійному струмі бази:
На рисунку дані статистичні характеристики транзистора, підключеного по схемі з загальним емітером.
Статичні характеристики транзистора, включеного по схемі з загальним емітером, знімаються за допомогою схеми, зображеної на рисунку 2.
Для розрахунку і аналізу схем на транзисторах часто використовують систему h-параметрів.
, якщо U2=0 (вхідна опір транзистора при короткому замкнені на виході);
, якщо I1=0 (коефіцієнт зворотного зв’язку показуючий, яка частина U2 вихідного змінной напруги U2 передається на вхід транзистора при розімкненому вхідному ланцюзі);
, якщо U2=0 (коефіціент передачі за струмом при короткому замкнені на виході)
, якщо I1=0 (вихідна провідність транзистора при розімкненому вхідному ланцюзі).
Однотипні h-параметри отримуються різними для відмінних схем увімкнення транзистора, отже їх позначають додатковим індексом: для схеми ОБ, наприклад h11б, h12б і т.д.; а для схеми ОЭ - h11Е, h12Е і т.д.
Рисунок 1 - Статичні характеристики транзистора, увімкненого по схемі з загальним емітером: а) вхідні характеристики; б) вихідні характеристики.
Рисунок 2 - Схема дослідження транзистора з загальним емітером
Показники h-параметрів можна визначити по статичним характеристикам транзистора. Виражаючи значення струму і напружений через відповідні прирощення для транзистора увімкненого по схемі з загальним емітером, одержимо;
, якщо 
, якщо 
, якщо
, якщо
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: