Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Если источник подключен плюсом к p-типу и минусом к n-типу, то такое напряжение называется прямым.




Поля, создаваемые прямым напряжением действуют навстречу полю с контактной разностью потенциалов так, что результативное поле становится слабее. Разность потенциалов в переходе падает, т. е. уменьшается и высота потенциального барьера.

Тогда диффузионный ток увеличивается, т. к. большее число носителей может преодолеть пониженный барьер. Ток дрейфа при этом не меняется, т. к. он зависит от числа неосновных носителей зарядов, попадающих на переход из PN-областей.

При прямом напряжении диффузионный ток становится больше тока дрейфа и чаще всего гораздо больше его, т. е. прямой ток является диффузионным током.

Инжекцией носителей называется введение носителей заряда через пониженный, из-за прямого напряжения, барьер в область, где эти носители являются неосновными. Область, из которой инжектируются носители, называют эммитерной или эмиттером, а в которую инжектируются неосновные для этой области носители, называют базой. Если рассмотреть инжекцию электронов, то n-область – эммитер, p-область база, для инжекции дырок – наоборот. Обычно концентрация примесей, а значит и основных носителей в p и n областях различна. Инжекция электронов из области с более высокой концентрацией основных носителей преобладает (из n-области). При прямом напряжении не только уменьшается потенциальный барьер, но и уменьшается толщина запирающего слоя, его сопротивление становится малым (единицы-десятки Ом). Если высота внешнего напряжения равна нескольким десяткам вольта, то для существенного понижения барьера и понижения сопротивления запирающего слоя достаточно подать на PN-переход такое же прямое напряжение. Поэтому большой ток можно получить при очень небольшом прямом напряжении. При некотором небольшом прямом напряжении можно вообще уничтожить барьер, тогда сопротивление запирающего слоя практически равно нулю и им можно пренебречь. Тогда прямой ток зависит от сопротивления самих P и N-областей. Прямой ток в разных частях PN структуры неодинаков.






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных