![]() ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Теоретическое введение. Эффект Холла состоит в появлении в проводнике с током, помещенном в магнитное поле, электрического поля в направленииЭффект Холла состоит в появлении в проводнике с током, помещенном в магнитное поле, электрического поля в направлении, перпендикулярном току и магнитной индукции. Эффект был открыт американским физиком Холлом в 1879 году. Он наблюдается во всех металлах и полупроводниках независимо от их материала, однако в последних он выражен сильнее. В настоящее время эффект Холла является одним из наиболее эффективных методов исследования носителей тока, особенно в полупроводниках. Он позволяет оценить концентрацию носителей (электронов и “дырок”), определить их подвижность и знак, что в свою очередь, позволяет судить о количестве примесей в полупроводниках и характере химической связи. Явление Холла широко используется в технике для контроля качества металлов и полупроводников, а также в измерительной и вычислительной технике, автоматике и радиоэлектронике. Поместим теперь образец в магнитное поле, направленное по оси y (рис.1). Тогда на свободные носители зарядов (для определенности - электроны), движущиеся со скоростью
где е - заряд электрона (е < 0);
В нашем случае эта сила действует вдоль оси z (см.рис.1б) и равна (т.к.
Fл = Fz = е Vx В (2)
Здесь под Vx имеется в виду средняя (дрейфовая) скорость носителей зарядов вдоль оси x, возникающая при наложении внешнего электрического поля напряженностью Еx. Под действием силы Лоренца электроны отклоняются к верхней грани, заряжая ее отрицательно. На нижней грани накаливаются нескомпенсированные положительные заряды. Это приводит к возникновению дополнительного поперечного электрического поля Dj = Еz d (3) Когда напряженность поля Точки 1 и 2, которые прежде лежали на одной и той же эквипотенциальной поверхности, теперь будут иметь разные потенциалы, т.е. появится поперечная разность потенциалов, которая и характеризует эффект Холла.
Получим выражение для холловской разности потенциалов. В установившемся состоянии сила, действующая на заряд со стороны поперечного электрического поля
уравновешивает силу Лоренца, так что
Дальнейшее накопление электрических зарядов на гранях пластины прекращается. Переходя от векторного уравнения (5) к уравнению в проекциях на ось z с учетом (2) получаем: е v x В = е Еz (6) откуда Еz = v xВ (7) После подстановки (7) в (3) находим Dj = v x В d (8) Модуль плотность тока j может быть найден из выражения j = е n v x, (9) где n - концентрация носителей зарядов и связанна с током в рассматриваемом случае соотношением: I = j S = j a d = e n v x а d, (10) где S - площадь поперечного сечения образца, S = а d Выражая v x из (10) и подставляя в (8), находим
Если учесть статистический характер распределения скоростей носителей зарядов, то в выражение (11) войдет множитель " К ", зависящий от температуры образца. Для температур, при которых производятся наши измерения
Итак окончательно получаем:
где величина
называетсяпостоянной Холла и зависит от природы вещества. Знак поперечной разности потенциалов Dj зависит от знака носителей тока. Для электронного полупроводника R < 0, а для дырочного R > 0. Таким образом, по знаку постоянной Холла можно определить знак носителей тока. Если в полупроводнике осуществляются оба типа проводимости, по знаку константы Холла можно судить о том, какая из них является преобладающей. С помощью постоянной Холла можно определить концентрацию носителей тока, если характер проводимости и заряд носителей известен.
Зная постоянную Холла и удельное сопротивление полупроводника r, можно определить также подвижность носителей тока b (отношение скорости направленного движения носителей заряда, вызванного электрическим полем, к напряженности этого поля). Действительно, модуль скорости дрейфа v x носителей тока в электрическом поле определяется его напряженностью v x = b Еx (16) Напряженность поля Еx определяется из закона Ома в дифференциальной форме j = s Еx, Ex=r j, (17) где s и r - проводимость и удельное сопротивление полупроводника, соответственно. Используя соотношение (9), (14), (16-17), легко получить следующее выражение для расчета подвижности носителей тока b= Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|