В) полупроводника с донорной примесью

Удельное электрическое сопротивление легиро­ванного полупроводника существенно зависит от концен­трации примесей. При концентрации примесей 10²⁰ ÷ 10²¹ на 1 см³ вещества оно может быть снижено до 5·10^-6 Ом·м для германия и 5·10^-5 Ом·м для кремния.

Основное значение для работы полупроводнико­вых приборов имеет электронно-дырочный переход, кото­рый называют р-п-переходом (область на границе двух по­лупроводников, один из которых имеет дырочную, а дру­гой - электронную электропроводность).

На практике p-n-переход получают введением в полупроводник дополнительной легирующей примеси. Например, при введении донорной примеси в определен­ную часть полупроводника р-типа в нем образуется об­ласть полупроводника n-типа, граничащая с полупровод­ником р-типа.

Схематически образование p-n-перехода при со­прикосновении двух полупроводников с различными ти­пами электропроводности показано на рис. 80. До сопри­косновения в обоих полупроводниках электроны, дырки, ионы были распределены равномерно (рис. 80 а).

Рис. 80. Образование p-n-перехода: распределение носителей заряда

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: