Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Функция распределения концентрации примеси по глубине и технологические режимы.




Если направление ионного потока не совпадает с главными кристаллографическими направлениями в монокристалле кремния, то распределение примеси по глубине подчиняется гауссову закону:

(9)

Из выражения (9) нетрудно получить формулы для N0 (при Х=0), Nmax (при Х=lср) и Nисх (при Х=Хп):

(10)
(11)
(12)
Из (11) и (12) можно получить
(13)
а из (10) - условие, при котором поверхностная концентрация будет не менее заданной величины N0
(14)

Знаки "±" в формуле (13) отражают тот факт, что если профиль распределения лежит достаточно глубоко, то образуются два перехода (скрытый слой).

Выражения (11), (13), (14) используются при расчёте режимов имплантации. К ним относят: кратность ионизации атомов примеси n (иначе говоря, число единичных зарядов, которые несёт ион), ускоряющее напряжение Uуск [кВ] и доза легирования Q [см-2].

Первые два параметра связаны с энергией Е [кэВ] простым соотношением:

(15)
Доза легирования:
(16)

где J - плотность ионного тока [A/см2], t - время облучения [c], q - заряд электрона (1,6×1019 Кл).

Из выражений (15) и (16) следует, что повышение кратности ионизации до 2 или 3 уменьшает необходимое ускоряющее напряжение для достижения необходимой энергии, но в то же время увеличивает длительность облучения (или плотность ионного тока) для достижения необходимой дозы легирования. Кроме того, получение потока 2х- или 3х -зарядных ионов требует повышения мощности, подводимой к разрядной камере установки. Таким образом, повышение кратности ионизации оправдано лишь в том случае, если рассчитанное при n =1 ускоряющее напряжение превышает возможности установки.

Рабочая камера установки ионной имплантации.

Установка ионной имплантации представляет собой вакуумную камеру, состоящую из ряда блоков, последовательно состыкованных с помощью уплотнений из вакуумной резины. Из источника примесь в парообразном или газообразном виде попадает в разрядный блок (ионизатор), из которого отрицательным потенциалом в 20…25 кВ ионы вытягиваются в магнитный сепаратор (масс-анализатор). Здесь в постоянном магнитном поле происходит разделение траекторий ионов с различным электрическим зарядом так, что в следующий блок проходит моноэнергетический поток ионов (с расчётным значением n). В этом блоке с помощью системы электродов ионному пучку придаётся плоская (ленточная) форма и в следующем блоке (ускорителе) ионы разгоняются до необходимой энергии. В рабочую камеру, таким образом, проходит плоский (ленточный) ионный луч, неподвижный в пространстве.

Схема рабочей камеры (последнего блока установки) приведена на рис. 13. Облучаемые пластины 1, несущие оксидную маску, размещаются по периферии держателя (контейнера) 2 в несколько ярусов. В процессе облучения пластин неподвижным ленточным лучом 5 контейнер вращается и совершает возвратно-поступательное движение. Пластины, таким образом, постепенно набирают необходимую дозу легирования. Между пластинами располагаются датчики 4, принимающие ту же дозу заряда, что и пластины. По достижении необходимой дозы () системой контроля вырабатывается сигнал, отключающий ионный луч.

Перед выгрузкой контейнера с обработанными пластинами вакуумный затвор 3 отсекает рабочую камеру от остального объёма установки, камеру открывают и производят замену контейнера с пластинами. После закрытия камеры и открывания затвора вакуумные насосы восстанавливают рабочее давление (примерно 10-4 Па) в объёме установки и начинается следующий цикл обработки.

Технические характеристики установки ионной имплантации "Везувий-9" следующие:

Расчет режимов ионной имплантации.

Наиболее полный набор задач расчёта режимов даёт вариант ступенчатой имплантации. В этом случае расчёт состоит из трёх этапов (см. рис. 12,а):

  1. Расчет режимов первой (глубокой) ступени имплантации, имеющей целью сформировать p-n-переход на заданной глубине Хп при заданных максимальной Nmax и исходной Nисх концентрациях.
  2. Расчет режимов для последней (приповерхностной) ступени, имеющий целью обеспечить поверхностную концентрацию не ниже заданной N0 (при тех же значениях Nmax и Nисх). Ограничение N0 снизу связано с необходимостью получения омического контакта к слою. (При низких, порядка 1017см-3, значениях N0 возникает потенциальный барьер - барьер Шоттки).
  3. Расчет режимов для промежуточных ступеней, имеющих целью формирование непрерывного легированного слоя от поверхности до p-n-перехода.

Алгоритм расчёта третьего этапа достаточно сложен, поэтому ограничимся рассмотрением алгоритмов расчета первых двух.

Исходными параметрами слоя являются: глубина залегания p-n-перехода Хп, поверхностная концентрация N0, исходная концентрация Nисх и максимальная концентрация Nmax. Следует подчеркнуть, что в отличие от диффузионной области, ограниченной p-n-переходом, имплантированная область имеет плавный переход только в донной части. "Стенки" области представляют ступенчатый p-n-переход, на котором пробивное напряжение минимально на глубине lср. Поэтому разработчик структуры ограничивает величину Nmax сверху

Для первой (глубокой) ступени расчёт сводится к следующему:

  1. Подобрать значения lср и s, удовлетворяющие равенству (13).
  2. По значениям lср и s для выбранного легирующего элемента из табл. 2. определить необходимую энергию Е [кэВ].
  3. По выражению (15) при минимально необходимом значении n (1,2 или 3) вычислить ускоряющее напряжение Uуск [кВ].
  4. По выражению (11) вычислить необходимую дозу легирования Q [см-2]

Для последней (приповерхностной) ступени:

  1. По выражению (14) вычислить отношение lср/s.
  2. Из табл. 2 найти значения, lср и s, дающие отношение, возможно более близкое к вычисленному.
  3. Установить по табл. 2 соответствующее значение энергии Е.
  4. По выражению (15) вычислить Uуск.
  5. По выражению (11) вычислить Q

Если в структуре ИМС предусмотрены высокоомные имплантированные резисторы, формируемые одновременно с последней ступенью, то для проектирования их топологии необходимо знать глубину залегания Хп' p-n-перехода, который образуется последней ступенью (см. рис. 12,а). Эта глубина рассчитывается по выражению (13) с подстановкой lср и s для последней ступени.

 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных