Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Исследование полупроводниковых триодов.

Пермский государственный технический университет

Кафедра АТ

 

Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводниковых триодов.

 

Выполнил: ст. гр.АТПП-04

Павлов Д.Н.

Проверил: Андреев Е.Г.

 

 

Пермь 2006г.
Цель работы:

Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем с ОЭ и ОБ. Нахождение по входным и выходным характеристикам малосигнальных параметров транзистора.

Инструментарий:

На стойке: измерительный прибор вольтметр В-22; источник питания.

Лабораторный стенд для изучения транзисторов, транзистор МП26Б или аналогичный, соединительные провода.

 

Ik=F(Uк-э)/Iб=const.

 

Uк-э, В Ik, мкА
  Iб=0 Iб=0,05 Iб=0,1 Iб=0,15 Iб=0,2
  0,32 5,4 5,6 5,8 5,9
0,5 82        
           
           
           
           
           
           
           
16          

 

Iб=F(Uб-э)/Iкэ=const.

 

Uк=0 В Uк=-5 В
Iб, мА Uб-э, В Iб, мА Uб-э, В
  0,006   0,046
0,05 0,079 0,05 0,159
0,1 0,102 0,1 0,185
0,15 0,115 0,15 0,201
0,2 0,127 0,2 0,213

 

 

 

Ik=F(Uк-э)/Iб=const.

 

Uк-б, В Ik, мкА
  Iэ=0 Iэ=2 Iэ=4 Iэ=6 Iэ=8 Iэ=10
  1,17          
0,5 8,26          
  8,46          
  8,65          
  8,88          
  9,16          
  9,5          

 

Iэ=F(Uэ-б)/Iкб=const.

 

Uкб=0 В Uкб=-5 В
Iэ, мА Uэ-б, В Iэ, мА Uэ-б, В
  0,0012   0,0156
  0,159   0,149
  0,187   0,175
  0,204   0,192
  0,219   0,205
  0,232   0,218

 

H-параметры:

 

Схема общий эмиттер:

UK=5 B

IБ= 0,15 мA

UK=4 B

IБ=0,1 мA

Схема общая база:

UK=5 B

IЭ=8 мA

UK=4 B

IЭ=6 мA

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП26Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства. Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.

2) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем параметрам, но очень плохие частотные свойства, характеристики и параметры очень сильно зависят от температуры.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Комбинированные транзисторы | 


Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных