ТТЛ с использованием транзисторов Шоттки.

Одним из больших недостатков ТТЛ является невысокое быстродействие. Для повышения быстродействия между базой и коллектором транзистора включают диод Шоттки.

Рисунок 92

Диоды Шоттки отличаются высоким быстродействием и пороговым напряжением равным 0.35В. Эти диоды называются антиненасыщающимися, так как они не дают транзистору насытиться до какой-то определенной величины. Транзистор будет проводить до тех пор, пока напряжение между коллектором и эммитором не уменьшится до 0.35 или 0.3 В. В этом случае диод Шоттки откроется, и часть тока будет протекать через него, вместо того чтобы протекать через базу-эммитер, т.е. транзистор не будет больше насыщаться.

Недостаток: наряду с повышением быстродействия схема с использованием транзисторов Шоттки теряют нагрузочную способность и помехоустойчивость.

Таблица

параметр	К151	К555 (Шоттки)	КР1533	КР513
Рср,МВт	10	2	1,2	19
Tcр,нс	20	18	14	5
	1,6	0,4	0,2	5
	0,04	0,02	0,01	0,05
	0,4	0,4	0,4	1
n	10	20	40	10

Количество подключенных элементов: n=Iвых/Iвх

Все ТТЛ элементы выпускаются в виде интегральных микросхем.

FLH – 101 – 7400 (2 И-НЕ – 4 штуки).

Рисунок 93

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: