Динамический запоминающий элемент оперативных запоминающих устройств.

В настоящее время для построения оперативных запоминающих устройств находят повсеместное применение динамические запоминающие элементы.

Принцип работы таких устройств основан на относительно длительном времени хранения заряда конденсатором. В качестве запоминающей емкости используют псевдоконденсатор, образованный на кристалле между электродами затвор (З) -- исток (И).

На рис.79 приведена одна из схем динамического запоминающего элемента.

Как видно из схемы, запоминание осуществляется на псевдоконденсаторе С затвор - исток транзистора VT2. Транзисторы VT1 и VT3 предназначены для управления записью и чтением информации. Если “1” будем кодировать высоким уровнем (+5В), то для записи “1” этот сигнал нужно подать на шину записи. При наличии выборки данной ячейки -- на ШАзп подан высокий уровень, транзистор VT1 откроется и псевдоконденсатор С зарядится до высокого уровня напряжения. Для чтения запомненной информации шину чтения предварительно заряжают высоким уровнем, и при подаче высокого уровня на ШАчт -- выборка данной ячейки при чтении, откроется транзистор VT3.

Рис. 79. Динамический запоминающий элемент.

Наличие высокого уровня напряжения на затворе транзистора VT2 приводит и к его открытию, и предварительный заряд с шины чтения стечет через открытые транзисторы VT2 и VT3. При чтении “1” на выходе (на шине чтения) получаем низкий уровень, т.е. инверсию единицы. Хотя затворные и истоковые цепи МОП транзисторов имеют высокие сопротивления, псевдоконденсатор С довольно быстро разряжается, что приводит к потере запомненной информации, чтобы зто не происходило нужно примерно каждые 3мсек подзаряжать конденсатор С. Этот процесс называют регенерацией памяти.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: