ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Полупроводниковая интегральная микросхема — интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.Современные полупроводниковые интегральные микросхемы достигают плотности упаковки 105 эл/см3 и шестой степени интеграции. Линейные размеры отдельных элементов и расстояния между ними могут быть уменьшены до 1 мкм. Анализ тенденции развития микроэлектроники показал, что сложность самых больших полупроводниковых интегральных схем увеличивается приблизительно в два раза ежегодно.
Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхема, пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхности диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла или сапфира, а активные элементы — бескорпусные полупроводниковые приборы. Плотность упаковки гибридных интегральных микросхем несколько меньше — до 150 эл/см3, степень интеграции — первая и вторая. Гибридные интегральные микросхемы перспективны для устройств с небольшим количеством элементов, в которых может быть обеспечена высокая точность параметров. Высокая точность выполнения пленочных элементов может быть использована при изготовлении микросхем по совмещенной технологии, в которой активные и часть пассивных элементов выполняются в объеме полупроводника, а часть пассивных элементов − на его поверхности в тонкопленочном исполнении. Применение двух, технологий повышает стоимость таких микросхем, но позволяет существенно повысить точность их параметров. В последнее время нашла применение совмещенная технология, в которой в гибридных микросхемах в качестве навесных компонентов используются бескорпусные полупроводниковые интегральные микросхемы. По такой технологии выполняются микросхемы до шестой степени интеграции для быстродействующих ЭВМ. В то же время отдельные активные и пассивные элементы микросхем имеют характеристики, не уступающие навесным (обычным) диодам, транзисторам, резисторам и т. д. Однако их объединение в одной микросхеме приводит к новой качественной возможности создания предельно сложных электронных устройств. Применение микросхем, существенно повышает надежность электронных устройств, так как надежность микросхем, содержащих большое количество элементов, не уступает надежности отдельных транзисторов, диодов и резисторов. Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|