Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Полупроводниковая интегральная микросхема — интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на по­верхности полупроводника.




Современные полупроводниковые интегральные микросхемы до­стигают плотности упаковки 105 эл/см3 и шестой степени интегра­ции. Линейные размеры отдельных элементов и расстояния между ними могут быть уменьшены до 1 мкм.

Анализ тенденции развития микроэлектроники показал, что сложность самых больших полупроводниковых интегральных схем увеличивается приблизительно в два раза ежегодно.

 

Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхема, пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверх­ности диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла или сапфира, а ак­тивные элементы — бескорпусные полупроводниковые приборы.

Плотность упаковки гибридных интегральных микросхем нес­колько меньше — до 150 эл/см3, степень интеграции — первая и вторая. Гибридные интегральные микросхемы перспективны для устройств с небольшим количеством элементов, в которых может быть обеспечена высокая точность параметров.

Высокая точность выполнения пленочных элементов может быть использована при изготовлении микросхем по совмещенной технологии, в которой активные и часть пассивных элементов выполняются в объеме полупроводника, а часть пассивных элементов − на его поверхности в тонкопленочном исполнении. Применение двух, технологий повышает стоимость таких микросхем, но позволяет существенно повысить точность их параметров.

В последнее время нашла применение совмещенная технология, в которой в гибридных микросхемах в качестве навесных компонентов используются бескорпусные полупроводниковые интеграль­ные микросхемы. По такой технологии выполняются микросхемы до шестой степени интеграции для быстродействующих ЭВМ.

В то же время отдельные активные и пассивные элементы микро­схем имеют характеристики, не уступающие навесным (обычным) диодам, транзисторам, резисторам и т. д. Однако их объединение в одной микросхеме приводит к новой качественной возможности создания предельно сложных электронных устройств. Применение микросхем, существенно повышает надежность электронных уст­ройств, так как надежность микросхем, содержащих большое ко­личество элементов, не уступает надежности отдельных транзисто­ров, диодов и резисторов.






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных