AVR - микроконтроллеры. Архитектура и назначение устройств.

Обобщенная архитектура:

G – генератор. Настройка RC – генератора происходит в самом МП. АЛУ и РОН имеют по 8 разрядов. Память выполнена по Гарвардской архитектуре.

Память программ предназначена для хранения команд, управляющих функционированием МК. В памяти программ также хранятся различные константы, не меняющиеся во время работы программы. Память программ представляет собой электрически стираемое ППЗУ (FLASH-ПЗУ). Для адресации используется счетчик команд.

Память данных разделена на три части: регистровая память, оперативная память (статическое ОЗУ) и энергонезависимое EEPROM. Регистровая память включает в себя 32 РОНа (32 байта) и служебные регистры ВВ (64 байта). В области регистров ВВ расположены различные служебные регистры (регистр указатель стека, регистр состояния и др.), а также регистры управления ПУ, входящими в состав МК. Для хранения переменных программ вместе с регистрами также может использоваться статическое ОЗУ. Есть возможность подключения внешнего статического ОЗУ объемом до 64 Кбайт. Для хранения данных, которые могут изменяться в процессе настройки и функционирования готовой системы (калибровочные константы, серийные номера, ключи и т. п.), может быть использована EEPROM. Эта память расположена в отдельном адресном пространстве, а доступ к ней осуществляется с помощью определенных РВВ.

Память SRAM имеет объём 512 байт, EEPROM – также 512 байт. ERAM – внешняя память данных. Запись информации в ячейку EEPROM длиться 2.5-4 мс. В AVR хорошо представлены UART, SPI и TWI (I2C) (в ATMega). Таймеры T0, T1, T2 и WDT. Работа с ERAM происходит медленнее, чем с SRAM (1 МТ). В МК AVR есть режимы энергосбережения Idle и Power Down Mode. Выход из режимов длиться 16 мс.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: