ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Жай жартылай епшпштер. Курдел! жартылай етюзпштер
Жартылай етк!зпцт аспаптардыц бнддркинде кен крлданыс тапкан ен. алгашкы жартылай етюзпш - германий (Ge). Оны тузеппш жэне импульстл диодтарды, транзистор л арды, фотодиодтарды, фоторезисторларды, тиристор-ларды, тензометрлерд! жэне т. б. жасау ушш крлданады. Кремний (Si) - бул Менделеев кестесшдеп IV тол элемент!. Технологиялык катынаста кремний германийга (Ge) Караганда одрдел!, оныд балку температурасы 1420 С жзне балкытылган куйшде айтарлыктай активтк Кремнищи" эр турл! диодтар, тран-зисторлар, тиристорлар, стабилитрондар, фотодиодтар, Холлдьщ датчиктер!, теизометрлер, иптегралды сулбалар жэне т. б. жартылай етюзпшт! аспаптар ушш колданады. Жай элементтерден жартылай етюзпшп аслаптарды жасау уш!н IV топ злементтер! (Se) жэне (Те) колданады.
|
|
Курд ел i жартылай етшпштерге жатады; SiC кремний карбид! - 6pi IV тол элементтер! - кремний жэне кемиртегшщ косындысы, уйледмд) формуласы SiCx(x = 1), к^рамында (салмагы бойынша) 70% Si жэне 30% С бар. SiC-д! догалы электр пештерде кварц к^мы SiiO мен кокстан (С) жасайды. SiC таза кристалдары тусс!з, коспа мен Si басымдыгын немесе G-HJ эр турл! тустерге бояйды. SiC кристалдарынын (у) электретшгштп 20°С - та коспалы жэне кен, шсктерде тербелед!. Ынтакындырылгап кериеудщ улкейу^не карай электр-етк1:лпшт1к (7) тез есед! де, ж^ка резисторда сызыкты емес ВАХ-ны себебтейд}. Ол аспаптьщ аты варистор. SiC электротехникада: Э'ГЖ-ны (ЛЭП) асцьш кернеуден коргайтын вентильд1 разрядтауыштардыц резисторлары yniiH; жогары температуралы 3jfeKTpnemTepiH кыздыру ymin; игнитронды тутатуыштар уш!н жэне т.б. колданыяады. SiC варистордагы дэндер байланыстырушы затпен катырылады. Байланыстырушы зат рет!нде саз балшык, ультрафарфор, с^йык шыпы жоне т.б. колданылады. SiC варистордагы дэндер байланыстырушы затпен катырылады. Байланыстырушы зат ретшде саз балшык, ультрафарфор, су_йык, шыны жэне т.б. колданылады. Жалпы турде SiC дэндер!нен туратын резистордьщ эквивалентт! сулбасы 7.2 суретте керсет1лген.
| 1 | 4!' | ||||
| / | |||||
| -10 | |||||
| / | -15 | ||||
| / | |||||
| ____. us u2 u3u4 a)., 6) 7.2 Сурет -Резистордьщ эквивалент сулбасы |
в)
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: