ПІДГОТОВКА ДО РОБОТИ

1. Вивчити відповідні розділи курсу, використовуючи рекомендовану літературу і теоретичні відомості, зазначені в описі лабораторної роботи.

2. Підготовити протокол лабораторної роботи, який повинен містити:

* Мету роботи;

* схема для експериментального зняття вольт-амперних характеристик діодів (рис. I.6) та варіанти завдань (табл. 1.0);

Таблиця 1.0

* порядок виконання робочого завдання;

* табл. I.I, 1.2 для результатів вимірів.

Рисунок 1.6

IS – зворотний струм діода.

VJ – середнє значення прямої напруги.

BV – максимальне значення зворотної напруги, перевищення якої приводить до лавинного пробою.

РОБОЧЕ ЗАВДАННЯ

I, Зібрати схему (рис 1.6) для експериментального зняття прямої вітки вольт-амперної характеристики діода .

2. Зняти залежність для кремнієвого діода:

Оскільки напруга прямої вітки діода має дуже малий діапазон відносно струму, то легше задавати струм, а вимірювати напругу.

а) виміряти напругу , результати занести в табл. 1.1;

Таблиця 1.1

	0,05	0,2	0,4	0,8
Герм. діод
Кремн. діод

б) Послідовно встановлюючи значення струму , зазначені в табл. 1.1, виміряти відповідне значення напруги ; результати змін занести в табл. 1.1.

3. Аналогічно до пункту п. 2,б, зняти залежність для германієвого діода.

4. Для експериментального зняття зворотної вітки вольт--амперної характеристики діода необхідно підключити діод в зворотному напрямку (поміняти його полярність включення).

5. Знати залежність для германієвого діода:

а) включити блок живлення БП і, міняючи напругу на його виході, установити зворотну напругу на діоді ;

б) виміряти силу струму і результати вимірів занести в табл. 1.2;

Таблиця 1.2

, В	0,2
Герм. диод
Кремн. диод

в) збільшуючи напругу на виході блоку живлення БП і послідовно встановлюючи значення напруги , зазначені в табл. 1.2, виміряти для кожного значення силу струму ; результати вимірювань занести в табл. 1.2.

З.6. Аналогічно з пунктом п.п. 3.5, а-в, зняти залежність для кремнієвого діода.

3.7. По результатам вимірів побудувати графіки:

; для кремнієвого і герма­нієвого діодів.

ВСІ ЗАЛЕЖНОСТІ ПРЕДСТАВИТИ НА ОДНОМУ ГРАФІКУ. Пряма залежність в першому квадранті. Зворотна залежність в третьому. Для германієвих та кремнієвих діодів масштаби однакові!!!

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ

1. Що таке перехід?

2. Чим обумовлена диффузійна складова струму че­рез перехід?

3. За рахунок чого відбувається переміщення через перехід неосновних носіїв?

4. Чи впливає знак і зовнішня напруга на дрейфову складову струму?

5. Чому пряма напруга, прикладена до переходу, збільшує дифузійну складову струму?

6. У чому відмінність вольт-амперної характеристики реального та ідеального діодів?

ЛІТЕРАТУРА

1. Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. - М.: Энергия, 1973. - 536 с.

2. Степаненко Н.П. Основы теории транзисторов и транзис­торных схем. - М.: Энергия, 1973. - 608 с.

3. Федотов Я.А. Основы физики полупроводников. - М.: Сов. Радио. 1970. - 259с.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: