Биполярный транзистор в режиме малого сигнала (усилитель).

Простейший каскад с общим эмиттером.

1. БТ не усиливает, а перераспределяет энергию источника питания в нагрузку т.е. в R_{входное} следующего каскада;

2. С₁; С₂ – разделительные конденсаторы;

3. R_б = (Е_к – U_бэА)/ I_бА с помощью этого сопротивления устанавливается режим входного тока (тока базы) для рабочей точки “ А ” на ВАХ транзистора;

4. U_кэА = U_нас + (Е_к - U_нас)/2 (см. график) – напряжение в рабочей точке “ А ”.

5. Токи: I_{к макс} = β I_{б макс}; I_{к мин} = β I_{б мин}.

6. Каскад с ОЭ меняет фазу входного сигнала на 180⁰.

7. Коэффициент передачи сигнала по напряжению схемы с общим эмиттером:

K_{u э} = S (R_н || r_{i э}) = = β R_н/r_{вх э} (1 + R_н/r_{i э}) = R_н /r_э S_БТ = DI_к / DU_бэ - крутизна ВАХ

Биполярный транзистор в режиме большого сигнала (электронный ключ).

Графический анализ:

Uвх = +Ек - амплитуда сигнала поступающего с предыдущего каскада;

Rб - ограничительный резистор, Rб = (Uвх -U_бэА)/ I_бэА - оптимальный для режима насыщения (РН);

R_н – сопротивление нагрузки биполярного транзистора;

U_нас < U₀ < Е_к/2 – уровень логического нуля;

Е_б/2 < U₁ < Е_к - уровень логической единицы.

Влияние ёмкостей переходов биполярного транзистора на реальную форму импульса.

t_зад - время задержки фронта импульса из-за перезаряда

барьерных ёмкостей С_кп и С_эп. БТ переходит из режима

РО в режим АР (происходит задержка инжекции носи-телей из эмиттера в базу);

t_нар - время нарастания импульса I_{к 0,1}® I_{к 0,9}; это сумма времени на перезарядку С_кп и С_эп и времени пролёта носителей из базы в коллектор, режим переходит из АР в РН.

t_рас - время рассасывания импульса - затрачивается время на обратное движение неосновных носителей в базе плюс время на рекомбинацию носителей, каскад переходит из режима РН в режим АР.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: