Электронды датчиктер түрлері 1 страница

Температуралық датчиктер. 60 жылдарға дейін амалсыздықтан және бұрыннан белгілі екі жағы толық бекітілген шыны түтікшеге құйылған сынапты аспапты термометрдің орнына, қазіргі кезде электронды терморезисторларды барлық аймақтарда температураны (жылуды, дене қызуын ж.т.б.) бақылауға кеңінен пайдаланып келеміз. Шыны сынса, ондағы сынаптың қауыптілігі сол қоршаған ортаға сынап буының әсері зианды болып таралады. Сондықтан сынапты термометрлерді өндірісте шығуына тыйым салынды. Терморезистордың жұмыс істеу тәртібі оның ішкі кедергісінің температура әсерінен тез өзгеріске түсуінің және сезімталдығымен қатар техникалық қауыпсіздігі мен қоршаған ортаға ешқандай зияны жоқ екендігі белгілі, сонымен қатар оның өндірісте тез көптеп жасалынуы, құнының арзандығы және экономикалық көрсеткіші барлық жағынан тиімді болды. Терморезистордың бірнеше түрін қарастырайық:кері сипаттама түрі (температураның өсуінен оның кедергісі кемиді), сипаттамалы түрі (температураның кемуінен,оның кедергісі өседі) және шекті сипаттамасы (порогты температура мәнінде,оның кедергісі тез өзгереді). Термопарлар-кедергілер аймақтарды өлшеуге пайдаланады. Олар функциялық Зибека әрекеті қолданылады. Электронды құрамының температураға сезімталдығы-термодатчиктер болады. Термосезгіштік диодтар және тиристорлар олар жартылай өткізгішіне байланысты. Жаңа технологияның дамуына байланысты датчиктер қазіргі кезде интегралды температуралық датчиктердің сезімталдығы 0 ден 160ºC дейінгі сезімталдықпен жұмыс істеиді. Олар кері және тура температураларды жұмыс істейді. Оптикалық датчиктер. Температура-ның шектік сипаттамалы датчик жұмысы бейнеленген, бұл датчиктер көптеген әр түрлі жағдайларда пайдаланады. Олардың жұмыс істеу тәртібі төрт ережеге тәуелді: фотоэлектронды эммиссия, фото өткізгіштікке, фотогальваникалық және пироэлектрикті. Қысым датчиктері. Қоршаған ортаның ауа қысым деңгейінің тұрақтылығын әр жағдайдағы температурасы байланысты өзгеруін өлшейді. Қазіргі кезде барлық жерлерде ауарайын бақылауда ж.т.б. кеңінен қолданылады. Магнитті датчигі. Ауа және сұйықтардағы тез өзгеретін жағдайларына сезімтал құралын, оған оптикалық датчиктардың сипаттамасы тура келеді. Электронды датчиктер түрлері: ылғалдың, ж.т.б. көптегентүрлері кеңінен қолданады.

ТЕСТТЕР

1. Ортақ эмиттерлі транзистордың кірістік сипаттамасы:

А) ,

В) ,

С) ,

D) ,

Е) ,

2. Ортақ базалы транзистордың кiрiстiк сипаттамасы мына тәуелдiлiкпен өрнектеледi:

А) ,

В) ,

С) ,

D) ,

Е) ,

3. Күшейткiштiң кернеу бойынша күшейту коэфициентi:

А)

В)

С)

D)

Е)

4. Күшейткiштiң пайдалы әсер коэффициенті:

А)

В)

С)

D)

Е)

5. Күшейткiштiң кiрiстiк кедергiсi:

А)

В)

С)

D)

Е)

6. Күшейткiштiң шығыстық кедергiсi:

А)

В)

С)

D)

Е)

7. Мынау қандай элементтiң шартты белгiсi:

А) өрісті транзистор

В) динистор

С) тиристор

D) биполярлы транзистор

Е) симистор

8. Айнымалы тоқ кернеуiн мына немен төмендетуге болады?

А) Трансформатормен

В) Инвертормен

С) Электрлiк тасымал желiсiмен

D) Электргенераторымен

Е) Стабилизатормен

9. n-p-n құрылымды транзистордың қолданылатын орны:

А) жоғарыда аталған орындардың бәрiнде

В) токты күшейткiш

С) айырып-қосқыш

D) шектегiш

Е) кернеудi күшейткiш

10. n-p-n – құрылымды транзистор қоректендiру көзiне былай қосылады:

А) коллектор эмиттермен салыстырғанда оң мәндi

В) коллектор эмиттерге қарағанда терiс мәндi

С) коллектормен эмиттердің потенциалдары бiрдей

D) қоректендiру көзiнiң оң потенциалыi базаға тiкелей жалғанған

Е) эмиттер мен базаның потенциалы бiрдей

11. ЖӘНЕ – ЕМЕС логикалық элементiн құру үшiн қолданылатын логика:

А) Транзисторлы – транзисторлы логика

В) Резисторлы – транзисторлы логика

С) Диодты – транзисторлы логика

D) Резисторлы – диодты логика

Е) Транзисторлы – диодты логика

12. Логикалық операциясы қандай құрылғының жұмысын сипаттайды:

А) Триггердiң

В) Конъюнктордың

С) Дизъюнктордың.

D) Инвертордың

Е) Құрама элементтiң

13. " " типтi триггердiң информациялық кiрiсi:

А) кiрiсi

В) кiрiсi.

С). кiрiсi.

D) кiрiсi.

Е) информациялық кiрiсi болмайды

14. -триггерi санауыш режимiнде жұмыс iстеу үшiн:

А) шығысын кiрiсiмен қосу керек

В) шығысын кірісімен қосу керек

С) кiрiсiн шығысына қосу керек

D) кiрiсiн шығысына қосу керек

Е) кiрiсiн кірісіне қосу керек

15. Логикалық құрылғылардың жылдамдығы қалай анықталады:

А) Екі сигналдың фронты бойынша ығысуымен

В) Кірісі мен шығысындағы сигналдардың амплитудаларының ығысуымен

С) Логикалық құрылғының кірісі мен шығысындағы процестердің срезінің ығысуымен

D) Транзистордың коллекторлық тогының қанығу дәрежесімен

Е) Логикалық құрылғының тозу дәрежесімен

16. Шалаөткiзгiш кристалдың өткiзгiштiгiнiң арту себебі:

А) Еркiн заряд тасылмалдаушылардың көбеюі

В) Электрондардың еркiн жолының ұзаруынан

С) Рұқсат етiлмеген зона ендігінiң артуынан

D) Электрондардың еркiн жолының қысқаруынан

Е) Өткiзгiштiк зона ендігiнiң артуынан

17. кристалының негiзгi заряд тасымалдаушылары?

А) Кемтiктер

В) Протондар

С) Электрондар

D) Протондар мен кемтiктер

Е) Протондар мен электрондар

18. кристалының негiзгi заряд тасымалдаушылары?

А) Электрондар

В) Кемтiктер

С) Нейтрондар

D) Протондар мен кемтiктер

Е) Электрондар мен протондар

19. кристалының қосалқы заряд тасымалдаушылары?

А) Электрондар

В) Кемтiктер

С) Электрондар мен протондар

D) Иондар мен нейтрондар

Е) Кемтiктер мен протондар

20. p-n-ауысуының вольт-амперлiк сипаттамасының қисық сызықты болуын немен түсiндiруге болады?

А) Вентильдiк қасиеттерiмен

В) Кристалдық құрылымның ақауына байланысты

С) Кристалды байыту дәрежесiмен

D) p-n ауысуындағы тосқауылды сиымдылықтың пайда болуымен

Е) заряд тасымалдаушылардың диффузиялық қасиетiмен

21. p-n ауысуының p – тектi электродына ток көзiнiң плюсiн, ал n-тегiне – минусы қосылғанда, p - n ауысуы арқылы токтың өтуiн қандай заряд тасымалдаушылар қамтамасыз етедi?

А) Негiзгi- электрондар

В) Қосалқы- электрондар

С) Негiзгi- протондар

D) Негiзгi- кемтiктер

Е) Қосалқы- кемтiктер

22. алаөткiзгiш диодтың тура кернеуi 0,2 ден 0,4 В-қа өзгергенде, ток 3мА-ден 16мА-ге артты. Диодтың дифференциалдық кедергiсi неге тең?

А) 5,4 Ом

В) 5,4 кОм

С),54 Ом

D),154 Ом

Е) 54 Ом

23. ала өткiзгiштi диодтың тура кедергiсi мен керi кедергiсi арасындағы қатынасы:

А)

В)

С)

D)

Е)

24. Нүктелi диодтың негiзгi артықшылықтары?

А) p-n-ауысуы сиымдылығының аз болуы

В) Шекті кері кернеудің төменгі мәнділігі

С) Шекті кері кернеудің үлкен мәнділігі

D) p-n-ауысуы сиымдылығының үлкен болуы

Е) Өлшемдерінің төмен болуы

25. Қуатты диодтарды қандай мақсатпен қалың металл корпустарға орналастырады?

А) Тез суыту үшiн

В) Механикалық берiктiлiгiн арттыру үшiн

С) Кернеуге беріктігін арттыру үшін

D) Үлкен тура ток алу үшiн

Е) Бекiтуге ыңғайлы болу үшiн

26. Жазық диодтардың қолданылуы:

А) Айнымалы токты түзету үшiн

В) Жоғары жиiлiктi тербелiстердi түрлендiру үшiн

С) Жоғары жиiлiктi тербелiстердi генерациялау үшiн

D) Импульстық процесстердi өндіру үшiн

Е) Кернеудi тұрақтандыру үшiн

27. Түзеткiш диодтар қалай таңдап алынады?

А) Тура тогы мен керi кернеуiнiң шамасына қарай

В) Аумағына қарай

С) Тура кернеуiнiң шамасына қарай

D) Статикалық параметрлерiне қарай

Е) Дифференциалдық параметрлерiне қарай

28. А класты режимiндегi -n- транзисторының ауысулары қай бағытта қосылады?

А) Эмиттерлiк тура бағытта, коллекторлық керi бағытта

В) Эмиттерлiк керi бағытта, коллекторлық тура бағытта

С) Екi ауысу да тура бағытта

D) Эмиттерлiк керi бағытта, коллекторлық керi бағытта

Е) Екi ауысу да керi бағытта

29. Биполярлы транзистор үшiн коэффициентi неге тең?

А) 19,0

В) 19,5

С) 0,95

D) 18,5

Е) 9,5

30. 155ЛИ1 типтi ИМС орындайтын логикалық операция:

А) Логикалық көбейту

В) Логикалық терістеу

С) Логикалық бөлу

D) Логикалық тасымалдау

Е) Логикалық қосу

31. SB таңбасымен схемада қандай элемент белгiленедi:

А) Қайтармалы батырмалы қосқыш

В) Тиристор

С) Транзистор

D) Қайтусыз батырмалы қосқыш

Е) Сақтандырғыш

32. ОЭ транзистордың ток бойынша күшейту коэффициентi:

А)

В)

С)

D)

Е)

33. Транзистордың сапасын сипаттайтын негiзгi параметрi:

А) Ток бойынша тасымалдау коэффициентi

В) Кернеу бойынша тасымалдау коэффициентi

С) Қуат бойынша тасымалдау коэффициентi

Д) Қуатты шашырату коэффициентi

Е) Керi байланыс коэффициентi

34. Мына операцияны орындайтын логикалық элемент:

А) ЕМЕС

В) ЖӘНЕ

С) НЕМЕСЕ

D) ЖӘНЕ – ЕМЕС

Е) НЕМЕСЕ – ЕМЕС

35. Конденсатор арқылы өтетiн токтың өзгеру заңдылығы мына формуламен анықталады:

А)

В)

С)

D).

Е)

36. Берілген тiзбектiң шығысындағы кернеудiң өзгеру заңдылығы:

А)

В)

С)

Д)

Е)

37. Берілген тiзбектiң шығысындағы кернеудiң өзгеру заңдылығы:

А)

В)

С)

D)

Е)

38. Дифференциалдық тiзбектiң қызметi:

А) Қысқа мерзімді, үшкiр импульстық сигналдар алу үшiн

В) Ара жүзi тәрiздi сигналдар алу үшiн

С) Тiк бұрышты импульстық сигналдар алу үшiн

D) Созылыңқы импульстық сигналдар алу үшiн

Е) Үшбұрышты сигналдар алу үшiн

39. Интегралдаушы тiзбектiң қызметi:

А) Созылыңқы импульстық сигналдар алу үшiн

В) Үшбұрышты сигналдар алу үшiн

С) Ара жүзi тәрiздi сигналдар алу үшiн

D) Тiк бұрышты импульстық сигналдар алу үшiн

Е) Қысқа мерзімді, үшкiр импульстық сигналдар алу үшiн

40. Қандай материалдар термоэлектрондық эмиссияға қабілетті?

А) Активтелген металдар

В) Шала өткiзгiштi

С) Диэлектрлi

D) Активтелмеген металда

Е) Металды қоспалар

41. Электрондық эмиссияның температураға және электронның шығу жұмысына тәуелдiлiгі:

А) Температураның артуынан және -ның кемуiнен өседi

В) Температура мен -ның кемуiнен өседi

С) Температура мен -ның артуынан өседi

D) Температураға тәуелді, -шамасына тәуелсіз

Е) Температураға да -ға да тәуелсіз

42. Жанама қыздырмалы катодты вакуумды диодтың қанша электродтары бар?

А) 4

В) 2

С) 3

D) 5

Е) 6

43. Вакуумды диодтың анодтық сипаттамасының сызықты емес болу себебi:

А) Катодтың эмиссиялық қасиетiне байланысты

В) Катод температурасының жоғары болуы

С) Анодтық кернеудiң төмен мәндi болуы

D) Анодтық кернеудiң жоғары мәндi болуы

Е) Катод температурасының төмендiлігi

44. Вакуумдық триодтың бiр бағытты өткiзгiштiгi неге байланысты?

А) Анодтан эмиссияның болмауынан

В) Тордың электрлiк өрiсiнiң әсерiнен

С) Анодтың электрлiк өрiсiнiң әсерiнен

D) Катодпен қыздырғыш накалдың арасында потенциалдар айырымының болмауынан

Е) Катодтың температурасын шексiз арттыруға мүмкiншiлiктiң жоқтығынан

45. Тордағы кернеудiң өзгерiсiне байланысты вакуумдық триодтың анодтық тогының өзгеру себебі:

А) Сетка мен катодтың арасындағы кернеулiкке

В) Электрондар эмиссиясына

С) Анод өрiсiнiң күш сызықтарының бағытына

D) Электрондар қозғалысының бағытына

Е) Анодтың электрлiк өрiс кернеулiгiне

46. Триодтың анодтық тогына қандай өрiс көбiрек әсер етедi?

А) Сетка мен катод арасындағы

В) Анод пен катод арасындағы

С) Сетка мен накал арасындағы

D) Сетка мен анод арасындағы

Е) Электродтардың потенциалына тәуелдi емес

47. Тетродтағы екiншi сетканың рөлi қандай?

А) Динатрондық құбылыстың анодтық токқа әсерiн жою

В) Бiрiншi сетканың тогын басқару

С) Анодтық токты басқару

D) Анодтың алдына қосымша өрiс тудыру

Е) Катодтық токты басқару

48. Газды жарық шамдар қандай мақсаттарға қолданылады?

А) Цифрлар мен таңбаларды бейнелеу үшiн

В) Гармониялық тербелiс өндiру үшiн

С) Сигналдарды түрлендiру үшiн

D) Сигналды күшейту үшiн

Е) Айнымалы токты түзету үшiн

49. -типтi кристаллын алу үшiн жарамды қоспа:

А) VI-топ элементтерi

В) II-топ элементтерi

С) V-топ элементтерi

D) I-топ элементтерi

Е) III-топ элементтерi

50. Температураның төмендеуіне байланысты шалаөткiзгiштi кристаллдың өткiзгiштiгiнің өзгеру себебі:

А) Заряд тасымалдаушылардың азаюы

В) Электрондардың еркiн жолының ұзаруынан

С) Өткiзгiштiк зона енiнiң кемуiнен

D) Энергетикалық деңгейлер санының өзгеруiнен

Е) Еркiн заряд тасылмалдаушылар жұбы санының артуынан

51. - кристалын алу үшiн қажеттi қоспа элементi:

А) Индий

В) Фосфор

С) Мышьяк

D) Германий

Е) Алюминий

52. Керi бағытта қосылған -n –ауысуы арқылы өтетін токты қандай заряд тасымалдаушылар туғызады?

А) Қосалқы– электрондар мен кемтiктер

В) Негiзгi – электрондар мен кемтiктер

С) Электрондар мен протондар

D) Протондар мен кемтiктер

Е) Ешбір заряд тасымалдаушылар өтпейді

53. -n-ауысудың тесiлуі барысында, ток күшінің басқарусыз қалу себебі:

А) Ауысудағы жылулық құбылыстардан

В) Беттік электрлiк құбылыстардан

С) Ауысудағы электрлiк құбылыстардан

D) Ортаның жылулық әсерiнен

Е) Ортаның ылғалдылығынан

54. -n-ауысуының сиымдылығы неге байланысты:

А) -n- ауысуының ауданына

В) Көлемдiк зарядтың тығыздығына

С) Тура бағыттағы кернеудiң мәнiмен

D) Керi бағыттағы мәнiмен

Е) Тасымалдағыштардың дрейфтiк тогының мәнiмен

55. кристалын алу үшiн қажетті қоспа:

А) Мышьяк

В) Бор

С) Индий

D) Алюминий

Е) Цинк

56. Электрлiк тесiлу қандай элемент үшін жұмысшы режимi болып табылады?

А) Стабилитрон

В) Варикап

С) Туннельдi диод

D) Тиристор

Е) Импульстық диод

57. Қандай схеманың кiрiстiк кедергiсi жоғары?

А) OИ схемалы өрiстiк транзистордың

В) ОЭ схемалы биполяр транзистордың

С) ОБ схемалы биполяр транзистордың

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: