Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Полевые транзисторы(ПТ).

ПТ служат для усиления мощности электрических сигналов. Они являются униполярными полупроводниковыми приборами, так как прохождение в них тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного знака в продольном электрическом поле через управляемый канал р - или n -типа. Управление значением тока через канал осуществляется поперечным электрическим полем. Таким образом, принцип работы ПТ основан на том, что изменение напряжения поперечного электрического поля изменяет проводимость канала, по которому проходит ток выходной цепи.

Применяются две разновидности полевых транзисторов: с затвором в виде р-n-перехода и с изолированным затвором. Принцип работы, характеристики и параметры обеих разновидностей одни и те же.

Рассмотрим принцип работы ПТ с затвором в виде р-n-перехода (рис. 2.19, а), схема включения которого с общим истоком показана на рис. 2.19, б.

 

Рис. 2.19

 

ПТ содержит пластину кремния с электропроводностью n-типа - канал, к торцам которого присоединены два металлических электрода - исток и сток. К электродам подключают напряжение источника питания Ec и сопротивление нагрузки Rн (рис. 2.19, а). При данной полярности Ec поток основных носителей заряда (в канале n -типа электронов) перемещается от истока к стоку. На противоположные грани пластины введены примеси, побразующие слои п/п-ка р -типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод - затвор. Между каналом и затвором образуются два р - n -перехода.

Проводимость канала определяется его сечением. Изменяя напряжение на затворе UЗИ, смещающее при указанной на рис. 2.19 полярности источника EЗ переходы в обратном направлении, можно изменять сечение канала за счет расширения или сужения обедненных слоев переходов, а следовательно, сопротивле­ние канала и проходящий через него ток. При UЗИ = 0 ток стока IС, проходящий через канал, имеет максимальное значение IС.НАС (ток стока насыщения, рис. 2.20, а), так как сечение канала максимально. При увеличении обратного напряжения U обедненные слои р - n -переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается значение тока стока IС. При напряжении отсечки UЗИ.ОТС сечение канала уменьшается практически до нуля, и ток Iс прекращается. При этом сток и исток оказы­ваются изолированными друг от друга. Рассмотренные процессы иллюстрирует стокозатворная (входная) характеристика Iс = f (Uзн)Uси= const (рис. 2.20, а).

 

Рис. 2.20

 

На рис. 2.20, б показано семейство выходных характеристик Iс = φ(Uсн)Uзн= const.

 

Основные параметры ПТ:

крутизна характеристики управления Sп=(ðIc/ðUзн)Ucн=const;

 

внутреннее сопротивление rc=(ðUсн/ðIc)Uзн=const

 

Достоинства:

малые собственные шумы (здесь отсутствует процесс инжекции и связанная с ним флуктуация);

высокое входное сопротивление (до 1014 — 1016 Ом).

Недостатки:

Невысокая крутизна характеристики.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Тип транзистора N – каналом Р – каналом | Некоторые возможности по увеличению ценности


Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных