Исследование статических характеристик биполярного транзистора.

Для моделирования статических характеристик в редакторе Micro-Cap создать схему рис 1.13. Поскольку входное сопротивление транзистора мало, при исследовании целесообразно использовать в качестве независимой переменной не напряжение, а ток. Поэтому к базе транзистора на рис. 1.13 подключен источник тока I1.

Исследование входной характеристики биполярного транзистора. В пункте меню Analisys необходимо задать режим моделирования по постоянному току (DC..). В качестве независимого источника выбрать источник тока в цепи базы транзистора. Диапазон изменения тока базы задается в диапазоне 0-5 мА.

Входную характеристику необходимо получить при двух значениях напряжения на коллекторе 0 В и 10В. Для этого в задать необходимые значения напряжения источника напряжения в цепи коллектора.

Исследование выходных характеристик биполярного транзистора. В пункте меню Analysis необходимо задать режим моделирования DC Analys а. В качестве независимого источника выбрать источник напряжения в цепи коллектора. Диапазон изменения напряжения на коллекторе задается в диапазоне 0 - 20 В.

В качестве параметра использовать ряд значений тока базы. Рекомендуется задать четыре значения тока базы в диапазоне 0- 5 мА.

	Рис. 1.13. Схема модели для исследования статических характеристик биполярного транзистора

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: