Экспериментальная часть. Методические указания к лабораторной работе №2

Методические указания к лабораторной работе №2

Тема: «Биполярные транзисторы».

Цель:

1. Построение и исследование вольтамперной характеристики эмиттерного и коллекторного p-n переходов транзисторов типа p-n-p и типа n-p-n в прямом направлении.
2. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер.
3. Получение выходных и регулировочных характеристик транзистора.

Биполярные транзисторы

Общие сведения

Транзистор (рисунок 2.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя р -проводящими слоями (p-n-p транзистор).

p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Рисунок 2.1

Экспериментальная часть

Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного p-n переходов транзисторов типа p-n-p и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти p-n переходы ничтожно малы.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: