ТОР 5 статей:
Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия
Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века
Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка
Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы
КАТЕГОРИИ:
- Археология
- Архитектура
- Астрономия
- Аудит
- Биология
- Ботаника
- Бухгалтерский учёт
- Войное дело
- Генетика
- География
- Геология
- Дизайн
- Искусство
- История
- Кино
- Кулинария
- Культура
- Литература
- Математика
- Медицина
- Металлургия
- Мифология
- Музыка
- Психология
- Религия
- Спорт
- Строительство
- Техника
- Транспорт
- Туризм
- Усадьба
- Физика
- Фотография
- Химия
- Экология
- Электричество
- Электроника
- Энергетика
Порядок выполнения экспериментов
- Соберите цепь согласно схеме (рисунок 2.4). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы IБ и напряжения UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора IК и напряжение UКЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коннектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера для амперметра и 20В для вольтметра).
- Установите первое значение тока базы 20 μА и изменяя напряжение UКЭ согласно значениям, указанным в таблице 2.2, снимите зависимость IК (UКЭ). Повторите эти измерения при каждом значении IБ, указанном в таблице.
Рисунок 2.4
Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения IБЭ и UКЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.
Таблица 2.2
| UКЭ, В | IБ = 20 μА | IБ = 40 μА | IБ = 60 μА | IБ = 80 μА | ||||
| IК, мА | UБЭ, В | IК, мА | UБЭ, В | IК, мА | UБЭ, В | IК, мА | UБЭ, В | |
| 0,5 | ||||||||
- На рисунке 2.5 постройте графики семейства выходных характеристик IК (UКЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.
- Установите UКЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в таблице 2.3, снимите зависимость UБЭ (IБ). Увеличьте напряжение UКЭ до 5 В и снова снимите зависимость UБЭ (IБ). Повторите этот опыт также при UКЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).
- На рисунке 2.5 постройте графики входных IБ (UБЭ), указав для каждой кривой соответствующие значения UКЭ.
Таблица 2.3
| IБ, μА | UКЭ = 0 В | UКЭ = 5 В | UКЭ = 15 В | |||
| UБЭ, В | IК, мА | UБЭ, В | IК, мА | UБЭ, В | IК, мА | |
Рисунок 2.5
Вопросы:
1. Каковы общие свойства обоих p-n переходов транзисторов двух типов?
2. Каковы отличия p-n переходов в двух типах транзисторов?
3. От чего зависит ток коллектора транзистора?
- Что можно сказать по выходным характеристикам о зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения коллектор-эмиттер?
- Что можно сказать по входной характеристики о различии между базо-эмиттерным переходом и диодом, смещённом в прямом направлении?
- В чём заключается различие между схемой включения транзистора с общей базой и общим эмиттером?
- Что такое инверсное включение транзистора?
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: