Статические, параметры МДП-транзистора
Статическими параметрами МДП-транзистора являются:
1. Крутизна S стокозатворной характеристики, определяющая усилительные свойства транзистора:
, при .
2. Дифференциальное сопротивление или сопротивление переменному току:
, при 
Крутизна S в области насыщения (рабочая область характеристик транзистора, для режима усиления) может быть найдена из выражения (4.11):
(4.13)
Из (4.13) следует, что для получения высокой крутизны необходимо увеличивать удельную емкость затвора (уменьшить - толщину диэлектрика), уменьшать длину канала L и увеличивать его ширину Кроме того, для увеличения крутизны необходима более высокая подвижность носителей заряда и, следовательно, транзистор с n -каналом, при всех прочих равных условиях, будет обладать большим значением крутизны.
Дифференциальное сопротивление в ненасыщенном режиме может быть найдено из выражения (4.9). В режиме насыщения, как это следует из (4.11), оказывается бесконечно большим. Однако для реального транзистора будет конечным, так как ток стока заметно возрастает при увеличении .
4.5. Статические характеристики реального МДП-транзистора
Статические выходные характеристики реального полевого транзистора с изолированным затвором приведены на рис.4.12.
Их отличие от идеализированных состоит в том, что в режиме насыщения ток стока увеличивается с ростом напряжения . Это объясняется, во-первых, тем, что с увеличением напряжения происходит укорочение длины канала (рис.4.8) на величину

За счет уменьшения эффективной, длины канала ток стока увеличивается. Этот механизм аналогичен эффекту модуляции ширины базы в биполярном транзисторе.
Во-вторых, в области достаточно больших напряжений происходит быстрый рост тока, вызванный размножением носителей в канале за счет ударной ионизации и пробоем - перехода сток-подложка. Последнее вызывает резкий рост тока стока.
Важной особенностью МДП-транзисторов является пробой диэлектрика под затвором, приводящий к выходу транзистора из строя. Вследствие малой емкости затвора и высокого сопротивления изоляции пробой может наступить от накопления статического заряда при неправильном обращении с транзистором. Например, при толщине диэлектрика 0,1 мкм, пробивной напряженности поля и емкости 2 пФ для пробоя достаточен заряд Кл. Для исключения возможности такого пробоя параллельно участку затвор-исток включают стабилитрон с напряжением пробоя, меньшим, чем предельно допустимое напряжение на затворе.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|