МДП-транзисторы со встроенным каналом. Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом показано на рис.4.13,а, а на рис.4,13,б его условное графическое обозна­чение

Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом показано на рис.4.13,а, а на рис.4,13,б его условное графическое обозна­чение. Характерной особенностью этого транзистора начнется нали­чие канала, соединяющего исток и сток при нулевом напряжении на затворе. В связи с этим высота канала и его проводимость будут из­меняться при изменении напряжения на затворе как в сто­рону положительных, так и отрицательных значений. Поэтому МДП-транзистор может работать и в режиме обогащения канала носителями заряда и в режиме обеднения его этими носи­телями. Соответственно изменяется статические характеристики транзистора, примерный вид которых показан на рис.4.14.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: