Главная | Случайная
Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Перечень вопросов к экзаменационным билетам

1. Назовите основные специфические особенности полупроводников. В чем заключается различие между электронным и дырочным током в полупроводнике? В чем заключается различие между диффузионным и дрейфовым током в полупроводнике? При каких условиях возникает диффузия носителей заряда в полупроводнике? При каких условиях возникает дрейф носителей заряда в полупроводнике?

2. От чего зависит электропроводность примесного полупроводника? Почему примесная электропроводность полупроводника намного больше, чем собственная? В чем заключается различие между основными и неосновными носителями заряда?

3. Назовите основные свойства электронно-дырочного перехода. Как зависит ток от напряжения (прямого, обратного) на p-n-переходе? В чем заключается различие между инжекцией и экстракцией носителей заряда?

4. Чем обусловлена барьерная емкость электронно-дырочного перехода? Чем обусловлена диффузионная емкость электронно-дырочного перехода? Как зависит емкость (барьерная, диффузионная) p-n-перехода от напряжения (прямого, обратного) на нем?

5. К несимметричному p-n-переходу с концентрацией Nд>>Nа (или Nд<<Nа) приложено прямое (или обратное) напряжение. Какая составляющая (электронная, дырочная) тока в переходе (диффузионного, дрейфового) будет наибольшей в этих условиях?

6. Какая область p-n-перехода обладает более высоким удельным сопротивлением, если число дырок, инжектируемых (или экстрактируемых) через переход, на несколько порядков больше (или меньше) числа инжектируемых (экстрактируемых) электронов?

7. Какая область p-n-перехода обладает более высокой удельной электропроводностью, если ширина перехода в p-области в несколько раз больше (или меньше), чем в n-области?

8. Какая составляющая тока (диффузионная, дрейфовая) в p-n-переходе изменится в большей степени при увеличении температуры?

9. Какой вид имеет потенциальная диаграмма несимметричного p-n-перехода при Nд>>Nа (или Nд<<Nа)? В какой области ширина p-n-перехода больше, если число электронов, инжектируемых (или экстрактируемых) через переход, на несколько порядков превышает число инжектируемых (экстрактируемых) дырок.

10. Задана потенциальная диаграмма несимметричного p-n-перехода. Определите, концентрация каких примесей (донорных, акцепторных) больше?

11. Пользуясь ВАХ диода из справочника, определите статическое Rс (или динамическое Rд) сопротивление диода при заданном значении прямого Uпр (обратного Uобр) напряжения.

12. Диод включен последовательно с резистором нагрузки. Заданы тип диода, напряжение питания схемы Е и значение сопротивления нагрузки Rн. Пользуясь ВАХ диода (из справочника) определите ток и напряжение в нагрузке (или рабочий режим диода Uд, Iд).

13. Диод включен последовательно с резистором нагрузки Rн. Заданы обратный ток насыщения диода I0, температура Т, входное напряжение Е и значение сопротивления нагрузки Rн. Определите напряжение на диоде.

14. Диод включен последовательно с конденсатором С и сопротивлением нагрузки Rн. Определите напряжение на нагрузке (или на диоде) в установившемся режиме при действии на входе схемы синусоидального напряжения с заданной амплитудой Uм.

15. Диод работает при заданных значениях прямого напряжения Uпр и температуры Т. Определите прямое статическое сопротивление диода Rс, если известен его обратный ток насыщения I0.

16. Диод включен последовательно с резистором нагрузки Rн. Нарисуйте график выходного напряжения схемы при поступлении на ее вход прямоугольных импульсов с заданными максимальным Uмакс и минимальным Uмин уровнями напряжения, если в схеме установлен: а) кремниевый диод; б) германиевый диод.

17. Известны прямое Rпр и обратное Rобр сопротивления диода, а также величина барьерной емкости перехода Сб. Определите, на какой частоте емкостное сопротивление диода станет равным Rобр. Как это отразится на величине прямого и обратного тока диода?

18. Задана схема с выпрямительными диодами (см. задачу 2.2). Нарисуйте график выходного напряжения и определите его наибольшее и наименьшее значения при действии на входе схемы синусоидального напряжения с известной амплитудой.

19. Стабилитрон включен последовательно с резистором нагрузки Rн. На вход схемы подается синусоидальное напряжение с известной амплитудой Uм. Нарисуйте график напряжения на нагрузке при заданном значении напряжения стабилизации Uст.

20. Известны параметры стабилитрона (Uст, Iст макс, Iст мин) и схемы параметрического стабилизатора напряжения R0, Rн. Приведите схему стабилизации и определите допустимые пределы изменения сопротивления нагрузки (или входного напряжения).

21. Стабилизация напряжения на нагрузке, сопротивление Rн которой известно, осуществляется стабилитроном с заданными параметрами (Uст, Iст макс, Iст мин). Приведите схему стабилизации и определите сопротивление ограничительного резистора R0 для обеспечения стабилизации при изменении входного напряжения (или сопротивления нагрузки) в заданных пределах.

22. На вход диодного ключа (см. задачу 2.3) поступает последовательность импульсов заданной формы. Нарисуйте временную диаграмму выходного напряжения и определите его наибольшее (или наименьшее) значение при заданных параметрах схемы Е, Rн, R, Uм вх.

23. Задана схема диодного ограничителя и известны ее параметры (см. задачу 2.4). Нарисуйте временную диаграмму выходного напряжения и определите его наибольшее значение при действии на входе синусоидального напряжения с заданной амплитудой Uм.

24. Составьте схему включения светодиода (или фотодиода), тип (или параметры Uн, Iн) которого известны, на заданное напряжение Е и определите сопротивление ограничительного резистора R0.

25. Составьте схему включения варикапа, тип (или вольт-фарадная характеристика) которого известны, на напряжение Е для получения необходимого значения емкости Св.

26. Задана одна из схем диодного включения транзистора. На вход схемы подается синусоидальное напряжение. Нарисуйте график напряжения на нагрузке.

27. Объясните, чем отличаются транзисторы p-n-p- и n-p-n-типа. Какой из переходов транзистора обычно имеет большую площадь и почему? Как отразится на работе транзистора неправильное подключение полярности источника питания?

28. Чем обусловлен обратный ток коллекторного перехода? Как зависит ток транзистора от напряжения на эмиттерном (или коллекторном) переходе? Как изменится эмиттерный ток транзистора при увеличении Uкэ, если ток базы поддерживается постоянным?

29. Как изменяются входное и выходное сопротивления транзистора при увеличении температуры? Как изменяется сопротивление транзистора при увеличении частоты?

30. У двух однотипных транзисторов при одинаковых внешних условиях базовые токи различны: Iб1>Iб2. Какими причинами это может быть вызвано? У какого транзистора толщина базы меньше?

31. На ВАХ транзистора укажите области активного режима, отсечки и насыщения. Могут ли токи транзистора Iк, Iэ, Iб иметь значения больше, чем в режиме насыщения? Покажите, как с помощью ВАХ определить h-параметры транзистора (см. л. р. №3).

32. Транзистор типа p-n-p (или n-p-n) включен по схеме с ОЭ (ОК или ОБ). Определите режим работы транзистор, если известны напряжения между эмиттером, коллектором и базой (или их потенциалы Uэ, Uк, Uб).

33. В схеме включения транзистора с ОБ имеются источники напряжения Еэ и Ек (или Еб и Ек в схеме ОЭ), а также резисторы Rэ и Rк (или соответственно Rб и Rк). Определите напряжение Uкб (или Uкэ), если параметры схемы и коэффициент передачи тока b известны.

34. У германиевого транзистора известны ток базы Iб и тепловой ток коллектора Iк0 при некоторой температуре Т. Предполагая, что Iк0 удваивается при увеличении температуры на каждые 10°С, определить ток коллектора при другой температуре.

35. Определите коэффициент передачи тока в схемах с ОЭ, ОБ, ОК, если при увеличении эмиттерного тока на ΔIэ ток коллектора увеличивается на ΔIк.

36. Определите коэффициент передачи тока b, если известно значение h21б.

37. В каких случаях применяют составные транзисторы? Определите b составного транзистора при известных коэффициентах передачи тока составляющих транзисторов.

38. Какие из транзисторов относятся к нормально открытым (открыты при отсутствии входного сигнала) и какие – к нормально закрытым? Укажите, в каких случаях применяют биполярные транзисторы, а в каких полевые. У каких транзисторов, и в каком случае ток транзистора изменяется из-за расширения p-n-перехода?

39. Используя ВАХ транзистора, определите его статическое и динамическое сопротивления при заданных Eк , Rк, Iб (или Ес, Rс, Uзи).

40. У полевого транзистора с управляющим переходом известны напряжение отсечки U0 и ток насыщения стока Iс0. Определите, какой ток IС будет протекать при заданном управляющем напряжении Uзи (или напряжение на затворе Uзи, при котором ток стока имеет заданное значение Iс).

41. У полевого транзистора с управляющим переходом известны напряжение отсечки U0 и ток насыщения стока Iс0. Определите максимальную крутизну характеристики транзистора Sм (или крутизну характеристики транзистора S при заданном управляющем напряжении Uзи).

42. В цепь стока полевого транзистора с управляющим переходом (или МДП-транзистора) включен нагрузочный резистор. Определите коэффициент усиления транзистора в схеме, если крутизна характеристики и сопротивления канала и резистора известны.

43. Известен стоковый ток полевого транзистора с управляющим переходом при некотором напряжении на затворе. Определите ток насыщения стока, если известно, что при изменении управляющего напряжения на ΔUзи ток стока изменяется на ΔIс, а стокозатворная характеристика на этом участке линейна.

44. Известен коэффициент усиления μ полевого транзистора при заданном напряжении на затворе Uзи. Определить крутизну характеристики, если известно, что при изменении напряжения на ΔUси ток стока изменяется на ΔIс.

45. Известны крутизна S и напряжение отсечки U0 МДП-транзистора с индуцированным каналом. Определите напряжение на затворе Uзи, при котором ток транзистора Iс достигает заданного значения (или ток транзистора Iс при заданном напряжении на затворе Uзи).

46. На затвор МДП-транзистора с индуцированным каналом подаётся положительное напряжение, но транзистор остаётся закрытым. В каких случаях это может быть?

47. В чем заключается основное отличие мощных МДП-транзисторов? Укажите основные особенности SIT. Чем отличаются IGBT от биполярных (или полевых) транзисторов?

48. Почему закрытое и открытое состояние тиристора являются устойчивыми? Почему процесс отпирания тиристора при подаче тока управления протекает лавинообразно? Почему уменьшение управляющего тока не приводит к запиранию открытого тиристора?

49. На управляющий электрод тиристора подаются отпирающие импульсы управления, но тиристор остаётся закрытым. В каких случаях это может быть? Покажите на графиках напряжения и тока, в какой момент времени естественно закроется открытый тиристор в схеме с RL-нагрузкой (или RС-нагрузкой)?

50. Тиристор включен последовательно с нагрузкой. Используя справочные данные открытого тиристора заданного типа, определите ток Iн и напряжение Uн в нагрузке, если напряжение питания схемы Е и сопротивление нагрузки известны Rн.

51. Динистор включен последовательно (параллельно) с резистором нагрузки Rн. На вход схемы подано синусоидальное напряжение. Нарисуйте график напряжения на нагрузке, если известны параметры схемы (Uм, Rн, сопротивление ограничительного резистора R0 при параллельном включении динистора) и напряжение включения динистора Uвкл.

52. Симистор включен последовательно с резистором нагрузки Rн. На вход схемы подано синусоидальное напряжение. Нарисуйте график напряжения на нагрузке при заданном угле управления α.

53. Как отразится на работе каскада с ОЭ обрыв конденсатора Сэ (или закорачивание резистора Rэ, или обрыв резистора базового делителя R2)?

54. Какая неисправность может служить причиной появления искаженной формы выходного сигнала в каскаде с ОЭ при неизменной температуре (или в случае изменения температуры)?

55. Укажите возможную причину снижения коэффициента усиления каскада с ОЭ, если нелинейные искажения формы выходного напряжения отсутствуют.

56. Точка покоя транзисторного каскада с ОЭ (или ОК) сместилась в точку отсечки (точку насыщения). Как это отразится на форме выходного напряжения при синусоидальном входном сигнале?

57. При синусоидальном входном сигнале транзисторного каскада с ОЭ (или ОК) выходное напряжение содержит только положительную (отрицательную) полуволну. Определите положение точки покоя.

58. Определите, во сколько раз изменится коэффициент усиления KU каскада с ОЭ и найдите его значение, если конденсатор Сэ будет отключен (входное сопротивление каскада с обратной связью Rвх = bRэ). Известны b, Rк, Rэ, h11э, Rн.

59. Определите, во сколько раз уменьшится, и какое значение будет иметь КU в каскаде с ОИ, если отключить конденсатор Си. Известны значения S, Rи, Rс.

60. В усилительном каскаде с ОЭ использован транзистор заданного типа. Используя ВАХ транзистора, постройте линии нагрузки и определите максимальное значение выходного сигнала каскада при известных Eк, Rк и Rн.

61. В схеме усилительного каскада с ОЭ точка покоя задаётся фиксированным током базы. Определите сопротивление Rб, если известны Ек, b, координаты точки покоя Iкп и Uбп.

62. Найдите коэффициент усиления мощности, если известны Uвх, Uвых, Rвх и Rвых.

63. Определите минимально допустимую мощность транзистора в усилителе мощности класса А, если известны напряжение питания усилителя Ек, максимальное напряжение на коллекторе транзистора UK max и, сопротивление нагрузки коллекторной цепи Rн .

64. Определите максимальный КПД усилителя мощности класса В, если заданы значение нагрузки коллекторной цепи Rн, мощность, выделяемая в нагрузке Рн и напряжение источника питания Ек.

65. Почему в усилителе мощности не стремятся получить максимальный КU?

66. Усилитель состоит из трех каскадов с коэффициентами усиления КU1, КU2 и КU3. Последние два каскада охвачены ООС, глубина которой e. Найдите общий КU усилителя.

67. Определите ориентировочное значение КUдвухкаскадного УНЧ в области средних частот, при следующих условиях: транзисторы каскадов одинаковы, известны Rk1=Rk2, h11Э, Rн, b.

68. Объясните физический смысл изменения коэффициента усиления усилителя при введении отрицательной обратной связи.

69. Объясните физический смысл уменьшения нелинейных искажений в усилителе, охваченном отрицательной обратной связью.

70. Усилитель без обратной связи имеет известное значение коэффициента усиления КU. Определите значение коэффициента усиления при введении ОС с заданной глубиной e.

71. В усилительном каскаде использован транзистор, коэффициент передачи тока b которого может иметь значения в указанном диапазоне. Известно, что при максимальном значении b усилитель имеет коэффициент усиления КU. Для уменьшения влияния разброса параметра в каскаде применена ОС глубиной e. Определить максимальное значение КU ос и изменение коэффициента усиления при ОС.

72. Коэффициент усиления усилителя при максимальном значении КUМАКС из-за разброса параметров транзистора изменяется в n раз. Найти минимальную глубину обратной связи e, при которой измерение КU не превышает 10% по сравнению с максимальным значением.

73. Объясните, почему в дифференциальном усилительном каскаде увеличение глубины ООС не приводит к уменьшению коэффициента усиления.

74. Объясните, почему подавление синфазного сигнала является важным достоинством дифференциального усилительного каскада.

75. Определите коэффициент усиления Кu дифференциального каскада, если в нём использованы транзисторы с известными b и h11, заданы Rк и Rн.

76. Назовите главные причины того, что ОУ является обязательным компонентом практически любого электронного усилительного устройства.

77. Почему в усилительных схемах ОУ используется только с цепями обратной связи?

78. Подберите значения резисторов R1 и RОС инвертирующего (или неинвертирующего) усилителя на ОУ для получения заданного коэффициента усиления Кu.

79. Чему равно выходное напряжение в схеме разностного ОУ, если известны R1=R2, R3, Rос, Uвх1, Uвх2.

80. Между входами ОУ включен фотодиод, ток которого при данной освещенности известен. Какой резистор следует включить в цепь обратной связи, чтобы получить на выходе заданное напряжение UВЫХ?

81. Определите сопротивления в схеме сумматора на ОУ, если при известном сопротивлении резистора в цепи ОС требуется обеспечить зависимость: Uвых = АUвх1+ВUвх2+СUвх3 (или -(АUвх1+ВUвх2+СUвх3)).

82. Нарисуйте временную диаграмму выходного напряжения интегратора на ОУ и вычислите его амплитудное значение, если известны его параметры R и С, а также форма и частота входного напряжения.

83. Подберите параметры резистора и конденсатора в схеме интегратора на ОУ, чтобы при заданной амплитуде UМВХ напряжения прямоугольной формы с частотой f на входе интегратора получить на его выходе напряжение требуемой амплитуды UМВЫХ.

84. Как зависит от температуры: а) степень насыщения транзистора в схеме ключа; б) выходное напряжение закрытого ключа.

85. Объясните, изменится ли режим работы транзисторного ключа, если на его выходе включается сопротивление нагрузки?

86. Объясните, выйдет ли из строя биполярный транзистор (МДП-транзистор) в схеме ключа, если замкнуть накоротко базу-эмиттер (затвор-исток)?

87. Рассчитайте режим работы биполярного транзистора типа n-p-n (или p-n-p) в схеме ключа и постройте график Uвых, если известны Ek, Rk, Rб (или Iб), b и входное напряжение заданной формы с амплитудой UМ.

88. Постройте график выходного напряжения ключа на полевом транзисторе с управляющим переходом (или МДП-транзисторе с индуцированным каналом) и каналом р-типа (или n-типа) при поступлении на вход напряжения заданной формы с амплитудой UМ. Параметры ключа: ЕС, RС (и пороговое напряжение U0) и крутизна транзистора S известны.

89. Потребуется ли для обеспечения нормальной работы транзисторного ключа изменить амплитуду управляющего сигнала при подключении на вход ключа нагрузки с сопротивлением Rн? Задано: Ек, Rк, Rб, b, UМВХ.

90. Ключ выполнен на транзисторе КП301Б. Используя стоковую ВАХ транзистора, определите выходное напряжение ключа при заданном входном напряжении. Пороговое напряжение, ЕС и RС известны.

91. На вход транзисторного ключа поступают прямоугольные импульсы напряжения с амплитудой UМ. Известны ЕК, RБ, падение напряжения на открытых переходах UБЭ и UБК. Определите, выйдет ли из строя транзистор КТ372А, если замкнуть накоротко RК.

92. В базе транзисторного ключа протекают импульсы тока заданной формы с амплитудой IМ = 2Iбн. Нарисуйте график Uвых при подключении нагрузки Rн=Rк.

93. На затвор полевого транзистора с управляющим переходом подаются импульсы напряжения заданной формы с амплитудой, вдвое большей напряжения отсечки UМ = 2U0. Нарисуйте график Uвых при подключении нагрузки Rн=RС.

94. Определите, какое сопротивление должен иметь резистор RК в схеме ключа с биполярным транзистором для обеспечения заданной степени насыщения g при известных ЕК, RБ, b и амплитуде входного сигнала UМ.

95. Определите, какое сопротивление резистора RС (или крутизны S) в схеме ключа на полевом транзисторе с управляющим переходом (или МДП-транзисторе с индуцированным каналом) для обеспечения нормальной работы при заданном управляющем напряжении UЗ. Известны ЕС и S (или RС), а также U0 для МДП-транзистора.

96. Расcчитайте коэффициент передачи тока в схеме транзисторного ключа, если известны Rk, Еk, Iб и степень насыщения g.

97. Выйдет ли из строя транзистор типа КТ316В в схеме транзисторного ключа при заданных Ек и Iб, если на выходе подключить нагрузочный резистор с сопротивлением Rн?

98. Объясните физический смысл условий автогенерации колебаний генератора.

99. В чем заключается принцип генерации колебаний в LC-генераторе (RC-генераторе)?

100. Определите частоту генерации колебаний в LC-генераторе (или RC-генераторе) при заданных значениях L и С колебательного контура (или R и С частотно-зависимой цепи).

101. Определите емкость конденсатора колебательного контура LC-генератора (или частотно-зависимой цепи RC-генератора), необходимую для возбуждения колебаний с заданной частотой. Значение индуктивности контура L (или сопротивления цепи R) известно.

102. В схеме компаратора на ОУ два сравниваемых сигнала подаются соответственно на прямой и инверсный входы ОУ. Какими должны быть эти сигналы: одинаковой или противоположной полярности?

103. Нарисуйте график выходного напряжения ОУ при действии на входах напряжений UВХ1 и UВХ2 заданной формы, если ОУ работает в ключевом режиме.

104. Какое значение сопротивления резистора R2 надо выбрать, чтобы получить ширину гистерезисной зоны ΔU в схеме триггера Шмитта, если известны R1и напряжение питания ОУ ЕП?

105. Определите напряжение срабатывания и отпускания триггера Шмитта и нарисуйте график Uвых при подаче на вход схемы напряжения заданной формы с амплитудой UМ. Известны ½Uвых МАКС½ и сопротивления цепи ОС R1 и R2 .

106. Как можно изменить частоту колебаний мультивибратора?

107. Как можно увеличить скважность положительных импульсов напряжения мультивибратора?

108. Найдите значение емкости конденсатора С для получения заданной частоты колебаний f мультивибратора, если сопротивления схемы R1, R2 и R3 известны.

109. Определите длительность и частоту положительных импульсов напряжения симметричного (или несимметричного) мультивибратора при известных значениях емкости конденсатора и резисторов схемы.

110. Определите, на каком выходе дешифратора появится напряжение, если на его n входах действует указанная комбинация сигналов.

111. При какой комбинации входных сигналов дешифратора напряжение логической единицы появится на указанном выходе.

112. Запишите уравнение логической функции для указанной схемы соединений логических элементов (или логической микросхемы).

113. В указанной схеме определите значение логической функции при заданной комбинации входных сигналов.

114. При каких значениях входных сигналов в указанной схеме логическая функция принимает значение F=1 (или F=0)?

115. Составьте функциональную схему на указанной логической микросхеме, реализующую заданную логическую функцию (например, F = X1+X2+X2+X3).

116. Определите, какую логическую функцию реализует указанная схема логики.

117. Нарисуйте схему асинхронного RS-триггера (или синхронного RS- или D-триггера) на логических микросхемах указанного типа.

118. Проанализируйте работу схемы триггера указанного типа при заданных уровнях сигналов на входах.

119. Составьте схему счетчика из счетных триггеров (или n-разрядных счетчиков) с заданным коэффициентом счета Ксч и приведите таблицу состояний.

120. Объясните, как построить Т-триггер на основе: а) D-триггера; б) JK-триггера.

121. Какой код установится на выходе n-разрядного суммирующего (или вычитающего) счетчика после наступления на его вход N импульсов (количество разрядов и число импульсов указаны)?

122. Определите коэффициент счета счетчика, структурная схема которого имеет указанный вид.

123. Два n-разрядных счетчика используются для деления частоты импульсов в N раз. Нарисуйте принципиальную схему включения счетчиков и нагрузки.

124. Составьте схему делителя частоты с заданным коэффициентом деления Кдел на основе счетных триггеров и приведите таблицу состояний.

125. Задана схема делителя частоты. Определите частоту выходных импульсов, если известна частота входных импульсов fвх.

126. Какую мощность можно получить на выходе однофазного (или трехфазного) мостового (или нулевого) выпрямителя при использовании диодов с заданными Iпр и UОБР.

127. Какие ток и напряжение в нагрузке можно получить на выходе однофазного (или трехфазного) мостового (или нулевого) выпрямителя при использовании диодов (или тиристоров) указанного типа?

128. Найдите необходимые параметры вентилей в схеме однофазного (или трехфазного) мостового (или нулевого) выпрямителя для получения заданного напряжения Uн и тока Iн.

129. Определите необходимые параметры тиристоров для схемы однофазного (или трехфазного) мостового (или нулевого) управляемого выпрямителя, если задан угол управления a, напряжение Uн и ток Iн нагрузки.

130. Определите диапазон регулирования напряжения и тока нагрузки в схеме однофазного (или трехфазного) мостового (или нулевого) управляемого выпрямителя при указанном угле управления a и при использовании тиристоров с заданными IПР и UОБР.

131. Определите максимальный угол управления a однофазного (или трехфазного) мостового (или нулевого) управляемого выпрямителя на тиристорах указанного типа, если задано наименьшее напряжение нагрузки.

132. Объясните, почему в управляемом выпрямителе необходимо учитывать коммутационные процессы.

133. Объясните, как и почему изменяется напряжение на выходе выпрямителя при использовании С-фильтра.

134. Объясните физический смысл сглаживающего действия L-фильтра.

135. Объясните физический смысл сглаживающего действия С-фильтра.

136. Найдите коэффициент стабилизации напряжения, если при изменении напряжения на входе на ΔUвх напряжение на выходе стабилизатора изменяется на ΔUВЫХ.


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
МДК 02.05.Теория и методика музыкально воспитания с практикумом | Темы курсовых работ по дисциплине


Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2021 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных