Метод модуляції стаціонарної фотопровідності.

Для вимірювання малих часів життя (до 10–3 мкс) може бути використаний метод, заснований на тому, що через напівпровідниковий зразок пропускається струм (в режимі генератора струму), і його освітлюють модульованим світлом, що створює генерацію електронно-дірчастих пар в концентрації

(2.7)

де G – швидкість генерації.

Суть методу полягає в тому, що величину визначають по зміні опору зразка при освітленні, а G знаходять або по струму короткого замикання еталонного фотодіода, виготовленого з матеріалу з великим , або шляхом вимірювання зразка з відомим .

Звичайно використовують світловий потік, модульований з певною частотою (» 75 ¸125 Гц) за допомогою диска з прорізом. Вимірювальний сигнал посилюється резонансним підсилювачем і відділяється таким чином від перешкод. Для розрахунку величини використовується формула

(2.8)

де - довжина зразка; r – опір, включений послідовно із зразком; Ro – темновий опір зразка; u – напруга, прикладена до зразка; - зміна опору зразка при його освітленні.

До недоліків методу слід віднести трудність визначення G, з якою пов'язана його основна погрішність, і вплив рівнів прилипання.

Метод вимірювання часу життя по зміні добротності контура.

Ідея методу полягає в тому, що при внесенні зразка у високочастотний контур виміряють його добротність без світла (QТ) і при освітленні фотоактивним світлом (Qф). При цьому виявляється, що

(2.9)

де до – якийсь коефіцієнт пропорційності, значення якого встановлюється шляхом вимірювання зразків з наперед відомим . Метод дуже простий і продуктивний, хоча і недостатньо точний, що пов'язано з помилками у визначенні до. Тому він частіше всього використовується для попередньої розбраковуваної в напівавтоматичному режимі напівпровідникових кристалів і пластин в умовах масового виробництва.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: