Лабораторная работа №1. Исследование полупроводникового диода.

Исследование полупроводникового диода.

Цель работы: Изучение свойств полупроводниковых диодов путем снятия их вольтамперных характеристик.

Требования безопасности труда

Для обеспечения безопасности выполнения лабораторной работы необходимо:

1. Сборку схемы производить при выключенном напряжении.

2. Схему включать под напряжение только после того, когда её проверит лаборант или преподаватель.

3. При выполнении работы не касаться токоведущих частей схемы, не заходить за стенд, не производить смены перегоревших предохранителей.

Содержание работы:

1.1 Снять вольтамперную характеристику Iпр=f(Uпр) при прямом напряжении, приложенном к диоду (для диодов Д9 и КД103).

1.2 Снять вольтамперную характеристику Iобр=f(Uобр) при обратном напряжении, приложенном к диоду (для диодов Д9 и КД103).

1.3 Построить вольтамперные характеристики диодов.

1.4 По характеристикам определить:

-дифференциальное сопротивление r=DU/DI и сопротивление постоянному току R=U/I при прямом и обратном включении.

-коэффициент выпрямления Кв=Iпр/Iобр при одном и том же напряжении U = ± 0,4 В.

Перечень типового оборудования:

Лабораторный стенд по электронике.

Методические указания:

Для снятия вольтамперных характеристик диодов используется схема, приведенная на рисунке 1

Рисунок 1. Исследование полупроводникового диода. Схема электрическая.

В работе использовать генератор тока ГТ, генератор напряжения ГН2, ампервольтметры АВМ1 и АВМ2, ампервольтметр АВО, измеритель выхода ИВ. Съемные элементы: диоды типа Д9 и КД103.

Для измерения прямого тока диодов использовать АВМ1, прямое напряжение измерять с помощью АВМ2.

Для измерения обратного тока использовать ампервольтметр АВО в положении переключателя 10 мкА.

Последовательность выполнения работы:

Ознакомиться с установкой.

Установить нулевые значения всех генераторов: тока ГТ, напряжения ГН1, ГН2, ГН3, повернув регуляторы влево до отказа.

Собрать схему и после проверки ее преподавателем включить установку.

Снять прямую ветвь вольтамперной характеристики диодов. Для этого, изменяя величину прямого тока Iпр с помощью ГТ от 0 до 10 мА, замерять величину прямого напряжения Uпр. Результаты наблюдений занести в таблицу 1.

Таблица 1. Опытные данные для диода Д9.

Провести аналогичные измерения для диода КД103.

Снять обратную ветвь вольтамперной характеристики диодов. Для этого, изменяя напряжение генератора ГН2 от 0 до 15 В, замерять величину обратного тока диода Iобр. Результаты наблюдения занести в таблицу 2.

Таблица 2. Опытные данные для диода Д9.

Провести аналогичные измерения для диода КД103.

Построить вольтамперные характеристики диодов, правильно подобрав масштабы токов и напряжений, откладываемых по осям координат.

Определить требуемые параметры диодов.

Требования к отчету:

Отчет должен содержать:

· название лабораторной работы;

· формулировку цели работы;

· схему установки;

· характеристики приборов;

· результаты измерений;

· графики характеристик;

· выводы по работе.

· Краткие письменные ответы на контрольные вопросы.

Контрольные вопросы:

1).Расскажите о конструкции, маркировке и условных графических обозначениях полупроводниковых диодов.

2).Объясните вентильное действие p-n перехода.

3).Объясните особенности точечных и плоскостных диодов.

4).Какими параметрами характеризуются выпрямительные полупроводниковые диоды.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: