Лабораторная работа №3. Исследование транзистора, включенного по схеме ОЭ.

Исследование транзистора, включенного по схеме ОЭ.

Цель работы: Изучение особенностей работы транзистора, включенного по схеме ОЭ, путем снятия его вольтамперных характеристик.

Требования безопасности труда

Для обеспечения безопасности выполнения лабораторной работы необходимо:

1. Сборку схемы производить при выключенном напряжении.

2. Схему включать под напряжение только после того, когда её проверит лаборант или преподаватель.

3. При выполнении работы не касаться токоведущих частей схемы, не заходить за стенд, не производить смены перегоревших предохранителей.

Содержание работы:

Снять семейство входных статических характеристик транзистора Iб=f(Uбэ), при Uкэ=const.

1.2 Снять семейство входных статических характеристик транзистора Iк=f(Uкэ), при Iб=const.

1.3 Построить статические характеристики транзистора.

1.4 По характеристикам определить:

-. Входное сопротивление транзистора Rвх=h11э = ∆ Uбэ/ ∆Iб, при Uкэ=const;

-. Выходное сопротивление транзистора Rвых=1/h22э=∆Uкэ/∆Iк, при Iб=const;

-. Коэффициент усиления по току β=h_21э=∆Iк/∆Iб, при Uкэ=const.

Перечень типового оборудования:

Лабораторный стенд по электронике.

Методические указания:

Схема исследования транзистора при включении с общим эмиттером приведена на рисунке 1.

Рисунок 1. Исследование транзистора, включенного по схеме ОЭ. Схема электрическая.

В работе использовать генератор тока ГТ, генератор напряжения ГН2, ампервольтметры АВМ1, АВМ2, измеритель выхода ИВ, съемный элемент – транзистор МП-40.

При снятии входной характеристики транзистора использовать генераторы ГТ и ГН2. Входной ток Iб и входное напряжение Uбэ измерять с помощью АВМ1 и АВМ2 соответственно. Выходное напряжение Uкэ измерять с помощью измерителя выхода ИВ, переключатель рода работы поставить в положение «ГН2 – 25В».

При снятии выходной характеристики транзистора использовать генераторы ГТ и ГН2. Выходной (коллекторный) ток Iк измерять с помощью АВМ2, отключив его от входа (базы) транзистора.

Последовательность выполнения работы:

Ознакомиться с установкой.

Установить нулевые значения всех генераторов (тока ГТ, напряжения ГН1, ГН2 и ГН3), повернув регуляторы влево до отказа.

Собрать схему, и после проверки ее преподавателем включить установку.

Снятие семейства входных статических характеристик транзистора. Установить напряжение на коллекторе транзистора Uкэ=15В. Изменяя ток базы Iб измерять напряжение Uбэ. Результаты измерений занести в таблицу1. Повторить аналогичные измерения для других значений напряжения Uкэ=5В, 0В, заполняя соответствующие графы таблицы 1.

Таблица 1. Опытные данные для построения семейства входных статических ВАХ.

Для установки Uкэ=0В необходимо отсоединить генератор ГН2 от схемы и замкнуть проводником гнезда Х11 и Х12 схемы.

Снятие семейства выходных статических характеристик транзистора. Установить ток базы Iб=0. Изменяя напряжение на коллекторе Uкэ измерять ток коллектора Iк. Результаты измерений занести в таблицу 2. Повторить аналогичные измерения для других значений тока базы Iб, заполняя соответствующие графы таблицы 2.

Таблица 2. Опытные данные для построения семейства выходных статических ВАХ.

Построить семейство входных и выходных характеристик транзистора по данным таблицы 1 и 2.

Определить требуемые параметры, пользуясь графиками характеристик.

Требования к отчету:

Отчет должен содержать:

· Название лабораторной работы.

· Цель работы.

· Содержание работы.

· Перечень типового оборудования.

· Схему опыта.

· Таблицы опытных данных.

· Построенные статические характеристики с отмеченными основными статическими параметрами.

· Основные параметры исследуемого транзистора, взятые из справочника.

· Краткие письменные ответы на контрольные вопросы.

· Выводы с объяснением различия экспериментальных и типовых характеристик и параметров исследуемого транзистора, взяв их из справочника «Полупроводниковые приборы: транзисторы».

Контрольные вопросы.

1) Укажите основные особенности схемы включения транзистора с общим эмиттером.

2) Объясните процесс усиления по току в схеме включения транзистора с общим эмиттером.

3) Какими статическими характеристиками принято определять свойства транзистора?

4) Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора при включении его по схеме ОЭ?

5) Приведите соотношения между коэффициентами передачи тока h21э и h21б.

6) Чем обусловлено появление обратного тока коллектора Iкбо?

7) Расскажите о частотных свойствах транзистора и влияния температуры на его параметры.

8) Расскажите о работе транзистора с нагрузкой.

9) Расскажите об использовании схемы с общим эмиттером.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: