ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Определение h-параметров по характеристикамНизкочастотные значения h -параметров транзистора можно найти с помощью семейств входных и выходных характеристик. Для этого:
В качестве примера определим значения h11Э, h12Э, h21Э, h22Э - параметров транзистора в рабочей точке, задаваемой величинами IБ(0), IК (0), UБЭ (0), UКЭ (0). Параметры h22 и h21 определяют по выходным характеристикам (рис. 3.34). . Условие iБ=const эквивалентно равенству нулю переменной составляющей IБ m. По характеристикам определяем Отметим, что приращения выбираются вдоль характеристики, снятой при iБ =IБ (0). . При этом:
Параметры h11Э и h12Э определяются аналогично по входным характеристикам транзистора (рис. 3.35). H - параметры широко используются для анализа транзисторных схем в режиме малого сигнала, так как позволяют применять готовые формулы теории линейных четырехполюсников. Y -параметрами пользуются при анализе транзисторных схем на высоких частотах. Использование схем замещения транзистора для анализа усилительных каскадов в режиме малых сигналов / С помощью схем замещения транзистора легко рассчитать параметры усилительной схемы для сигналов малой амплитуды. Для примера проведем расчет усилительного каскада (рис. 3.30). Составим малосигнальную эквивалентную схему, соответствующую схеме рис. 3.30; для этого:
Полученная таким образом малосигнальная эквивалентная схема усилительного каскада изображена на рис. 3.36,а. Для простоты примем, что сопротивления разделительных конденсаторов в рабочем диапазоне частот близки к нулю, а сопротивления RБ и RК велики (RБ >> h11Э, RК >> RН). Тогда схема упрощается и приобретает вид рис. 3.36,б. Тогда для токов и напряжений транзистора запишем: .(3.51) Кроме того, добавим два уравнения, описывающие источник сигнала и нагрузку: UКm = - RН IКm; (3.52) EЭm = UБm + IБm Rг. (3.53) Из системы уравнений (3.51...3.53) можно получить все расчетные формулы. (3.54) где: D hэ= h22Э, h11Э - h12Э h21Э. Отметим, что, как правило, D h RН << h11; D h << h22RГ и h11<< RГ. Пример: h11Э =0,14 кОм; h12Э =4,3 · 10 -4; RН =1 кОм; h21Э =45; h22Э =1,8 · 10 -4 См; RГ =10 кОм. При этом: D h» 5 · 10 -3; D hRН =5,0 Ом<< h11; h22RГ =1,8>> D h. Следовательно:
Главное достоинство полученных с помощью схемы замещения соотношений (3.54) в том, что они справедливы для любой схемы включения транзистора (ОБ, ОЭ, ОК) и даже для любых усилительных элементов. Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|