Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Определение h-параметров по характеристикам




Низкочастотные значения h -параметров транзистора можно найти с помощью семейств входных и выходных характеристик. Для этого:

  1. Отмечают на характеристиках положение рабочей точки по постоянному току, в которой определяются h -параметры.
  2. Определяются малые приращения токов и напряжений относительно рабочей точки и рассчитываются h -параметры.

В качестве примера определим значения h11Э, h12Э, h21Э, h22Э - параметров транзистора в рабочей точке, задаваемой величинами IБ(0), IК (0), UБЭ (0), UКЭ (0).

Параметры h22 и h21 определяют по выходным характеристикам (рис. 3.34).

.

Условие iБ=const эквивалентно равенству нулю переменной составляющей IБ m.

По характеристикам определяем

Отметим, что приращения выбираются вдоль характеристики, снятой при iБ =IБ (0). .

При этом:

 

Параметры h11Э и h12Э определяются аналогично по входным характеристикам транзистора (рис. 3.35).

H - параметры широко используются для анализа транзисторных схем в режиме малого сигнала, так как позволяют применять готовые формулы теории линейных четырехполюсников.

Y -параметрами пользуются при анализе транзисторных схем на высоких частотах.

Использование схем замещения транзистора для анализа усилительных каскадов в режиме малых сигналов /

С помощью схем замещения транзистора легко рассчитать параметры усилительной схемы для сигналов малой амплитуды. Для примера проведем расчет усилительного каскада (рис. 3.30).

Составим малосигнальную эквивалентную схему, соответствующую схеме рис. 3.30; для этого:

  1. Источник постоянного напряжения замкнем накоротко (его сопротивление переменному току близко к нулю).
  2. Заменим транзистор малосигнальной схемой замещения.

Полученная таким образом малосигнальная эквивалентная схема усилительного каскада изображена на рис. 3.36,а.

Для простоты примем, что сопротивления разделительных конденсаторов в рабочем диапазоне частот близки к нулю, а сопротивления RБ и RК велики (RБ >> h11Э, RК >> RН). Тогда схема упрощается и приобретает вид рис. 3.36,б. Тогда для токов и напряжений транзистора запишем:

.(3.51)

Кроме того, добавим два уравнения, описывающие источник сигнала и нагрузку:

UКm = - RН IКm; (3.52)

EЭm = UБm + IБm Rг. (3.53)

Из системы уравнений (3.51...3.53) можно получить все расчетные формулы. (3.54)

где: D hэ= h22Э, h11Э - h12Э h21Э.

Отметим, что, как правило, D h RН << h11; D h << h22RГ и h11<< RГ.

Пример: h11Э =0,14 кОм; h12Э =4,3 · 10 -4; RН =1 кОм;

h21Э =45; h22Э =1,8 · 10 -4 См; RГ =10 кОм.

При этом:

D h» 5 · 10 -3; D hRН =5,0 Ом<< h11; h22RГ =1,8>> D h.

Следовательно:

KU = 45· 10 / 1,4=32; RВХ = 0,14 кОм;
KI = 45; RВЫХ = 50 кОм

Главное достоинство полученных с помощью схемы замещения соотношений (3.54) в том, что они справедливы для любой схемы включения транзистора (ОБ, ОЭ, ОК) и даже для любых усилительных элементов.






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных